土壤无机离子在非均匀电场作用下的迁移

研究了非均匀电场对不饱和沙壤土中的NO₃^-和SO₄^2-的迁移特征,揭示利用非均匀电场向土壤中注入营养物和电子受体的特性.结果表明,非均匀电场能有效地增强土壤中NO₃^-和SO₄^2-的移动性,在1.0V/cm电压梯度下不饱和沙壤土中NO₃^-和SO₄^2-的电迁移速率分别高达22.0,16.5cm/d;在非均匀电场中无机离子主要通过场强较大的区域迁移;切换电场极性可以方便地控制土壤中NO₃^-和SO₄^2-的运移,同时能促使NO3-转化为NO₂^-.利用非均匀电场的迁移和富集效应,可以有效地向土壤中注入无机离子或者将污染离子从土壤中分离出来.     

浊度与微生物指标在污水再生处理系统中的去除特性及相关性

本研究考察了污水再生处理系统对颗粒物(包括浊度和粒径分布)和微生物指标(包括隐孢子虫、贾第鞭毛虫、粪大肠菌群和SC噬菌体)的去除特性以及不同指标间的相关关系。研究结果表明,污水再生处理系统对浊度的平均去除率为3.53-log,其中二级生化处理及砂滤对浊度的去除率较高,分别为1.52-log和1.35-log。粒径分析结果表明,絮凝沉淀后粒径均值达到最大值223.2μm;而再生水中粒径均值最小,仅为5.8μm。污水再生处理系统对各微生物指标的去除率为2.96-log~4.11-log。各处理单元中,二级生化处理单元对粪大肠菌群和SC噬菌体的去除率较高,分别为2.81-log及2.14-log;而砂滤对SC噬菌体去除效果较差,仅为0.18-log。从再生处理工艺整体上看,水样浊度、粪大肠菌群、SC噬菌体和两虫浓度具有显著相关性。而对于单个取样点,除污水厂进水中SC噬菌体和两虫浓度表现出一定相关性外,其他情况下各指标与两虫浓度间均无显著相关关系。     

基于有限元的强风区断路器复合空心套管振动仿真

高压出线套管主体在强风下会出现形变以及振动,凭借线路绝缘子经验,形变会导致应力集中以及电场畸变。本文通过有限元分析软件ANSYS对750kV断路器复合空心套管开展流-固耦合仿真,探讨了复合套管在强风中的形变幅度、应力分布以及振动模态。应力集中区域应该在以后的检修工作中重点检查。     

城沐一线500kV线路取消架空地线力学性能分析

架空地线的主要作用是防止雷电直击导线,但在冬季,由于架空地线线径较细,强度较低,多次因地线覆冰引发断线、跳闸事故,因此提出了取消重冰区500 k V线路架空地线的做法。使用有限元仿真工具ANSYS Workbench,以城沐一线500 k V线路三基杆塔为对象进行建模,对取消地线前后城沐一线的力学性能做了仿真计算。计算结果表明,在不同的覆冰强度下,取消地线后杆塔塔头及塔身主材所受拉力及应力都有所下降,提高了整个塔线体系在冬季运行的可靠性。结果可为冰区超高压电网的运行维护工作提供指导。     

绝缘子表面RTV憎水性与其放电的紫外成像结果关系研究

室温硫化硅橡胶(RTV)涂料在运行过程中会逐渐老化,可采用憎水性测量和理化手段分析其老化程度,但无法对运行中的绝缘子进行评估。通过涂污的方式模拟绝缘子表面RTV憎水性的减弱,对绝缘子串加压并用紫外成像仪记录放电过程,研究憎水性与紫外成像结果的关系。分析放电产生的紫外光子数和光斑面积发现,绝缘子串表面RTV憎水性越差,其发生显著放电的电压越低,相同电压下放电程度越剧烈。研究成果为运行中绝缘子RTV憎水性能的评估提供了一种新思路。     

榄普一线500kV线路取消架空地线防雷性能分析

榄普一线500 k V线路由于地线覆冰严重,多次出现线路跳闸、地线断裂等事故,因此需要将架空地线取消。结合行波法和ATP-EMTP电磁暂态分析,对取消地线前后榄普一线的耐雷强度进行了仿真计算。计算结果表明,取消地线后雷击基本都变为绕击,并且绕击耐雷强度和反击耐雷强度均有所降低,需要采用其他防雷措施进行保护。     

加压溶气生化气浮法处理生活污水的脱氮试验研究

将加压溶气气浮技术与加压曝气生物氧化技术相结合,开发了加压溶气生化气浮(PA-DAF)法,用于处理生活污水。结果表明,DO和C/N对反应器的脱氮效果有显著影响。DO质量浓度提高到3.5mg/L后,氨氮去除率提高到将近99%。当DO质量浓度为2.5mg/L时,TN去除率达到最大值77.50%。高C/N条件下系统会抑制硝化能力。该反应器能很好地创造缺氧微环境,出现了同步硝化反硝化现象,并对其形成机制进行了分析。     

酪氨酸氯化过程中光谱变化特征及消毒副产物的生成规律

考察酪氨酸在不同投氯量条件下氯化后的余氯,紫外吸光度值和荧光光谱,以及消毒副产物对羟基苯乙腈(4-HBC)的生成特性。结果表明,随着投氯量的增加,余氯呈现先增加再减小再增加的趋势。在投氯量为0～0.5 mmolCl2/L时,增加投氯量可提高氯化后溶液的UV254、UV274和UV280值以及4-HBC的生成量,表明低投氯量时氯化可提高溶液中不饱和键的含量;而投氯量为0.5～1 mmol Cl2/L时,增加投氯量降低UV254、UV274和UV280值以及4-HBC的生成量,表明过量的氯亦可破坏溶液中的不饱和键。荧光光谱测试实验亦发现:在投氯量为0.05 mmol Cl2/L时,酪氨酸溶液氯化后的荧光峰强度明显增加,表明氯化可生成荧光强度较高的产物。过量的氯(0.5～1 mmol Cl2/L)则可破坏溶液中的荧光结构,降低荧光峰强度直至未检出。