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1.
2.
GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。  相似文献   
3.
发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)由于具有长寿命、高能量转换效率、环境友好的特点而成为当今最受欢迎的照明解决方案之一,广泛应于显示屏、通讯、医疗器件以及普通照明产业。LED结构类似于半导体器件,但是由于其在性能、材料以及界面间的差异,又使得其具有特殊的失效模式和失效机理。本文针对LED常见失效机理和机理进行了讨论和分析,对应用可靠性给出了相关建议。  相似文献   
4.
GaAsPIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAsPIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAsPIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义。  相似文献   
5.
仿真饰品与人体皮肤直接接触,其安全性与消费者健康密切相关。对我国制造的162个仿真饰品中的总铅、总镉、总汞、总砷、总铬和6价铬质量比进行了检测,采用四分位稳健统计法对6种有害元素的质量比进行了统计描述。利用本征矢量投影技术对试验数据进行降维处理,使样本点在新变量PC1、PC2空间的整体分布趋势及特征得到清晰表达,并对造成异常样品点的影响因素进行了分析。进一步因子分析结果表明,我国仿真饰品中有害元素的分布特征可基本确定为两个因子:Pb和Hg。因子分析的结果对解释影响样本点差异的实际变量方面更具实际意义,即仿真饰品样本点的异常值可归为两类:受Pb因子影响和受Hg因子影响。  相似文献   
6.
扎当冰川雪坑中不同粒径微粒元素和矿物组成特征   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
余光明  徐建中  康世昌  黄杰  任贾文 《环境科学》2011,32(11):3264-3270
为了研究雪冰中不溶性微粒的矿物和元素组成及其来源,2009年5月和7月在念青唐古拉山扎当冰川垭口采集了2个雪坑样品,采用质子激发X荧光分析(PIXE)和X射线衍射定量分析方法(XRD)测定了不同季节粗细微粒(d〉10μm和0.22μm  相似文献   
7.
冬季驾车因天气寒冷、气温低,先要做好行车前准备和检查工作。 一、蓄电池电能充足。天气寒冷,汽车不易发动,要求蓄电池有充足的电能输出才能顺利点火。因蓄电池在低温时性能降低,故要定期检测、维护蓄电池,保持其正常的电压和液面。发动点火不着时,要等候30秒左右:再次发动。切忌心烦气躁,连续点火,以防耗尽电能。出车时最好先点火使发动机工作后再开车灯。收音机等电器;停车时则要先关各种电器,后关发动机。停车后尽量不用电,特别忌用电窗、喇叭等耗电设备。  相似文献   
8.
杨颖  陈之龙  黄杰  黄宛宁 《安防科技》2007,(3):24-25,62
介绍一种用USB摄像头作为采集终端的视频监控系统,用户在远程端可以监控USB摄像头获取实时视频,并能够控制云台进行转动.整个系统能够独立完成实时视频的采集、处理及传输功能,可广泛应用在远程监控系统、可视电话、工业控制等领域.  相似文献   
9.
基于DMSP/OLS与土地利用的江苏省人口数据空间化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
准确、高分辨率的人口分布信息是人地关系研究的重要前提。人口数据空间化可实现人口统计数据与空间信息集成,重构人口空间分布特征,为区域可持续发展研究提供数据支持。基于DMSP/OLS夜间灯光数据与土地利用数据,以遥感与地理信息系统理论与方法为基础,采用空间滞后回归模型模拟了江苏省2010年人口空间分布状况,并得到1km×1km的人口密度网格图。通过从县级、乡镇级两种空间尺度对人口数据空间化结果进行检验,结果表明基于DMSP/OLS与土地利用的人口数据空间化能够正确地表达人口空间分布规律,尤其对于人口较为密集地区,具有很高的数据重现精度;但是对于人口密度畸高或畸低的地区,由于人口空间分布异质性较大,数据重现的准确性下降。  相似文献   
10.
GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。  相似文献   
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