GaAs微波小功率晶体管加速退化试验数据分析

本文以GaAs微波小功率晶体管为研究对象,分别开展不同温度应力的直流稳态、射频动态加速退化试验。通过分析不同温度应力下同种类型加速退化试验结果,揭示GaAs微波小功率晶体管的退化失效时间与开尔文温度的倒数呈指数变化规律;通过比对相同温度应力下直流稳态、射频动态加速退化试验,发现同温度应力下,直流稳态较射频动态工作造成的GaAs微波小功率晶体管饱和漏电流的变化更为剧烈。     

基于AFR夹具去嵌研究

射频低噪放的封装工艺向表贴、小型化持续发展,测试此类低噪放必然需要连接微带测试夹具。连接此类测试夹具进行测试令测试模型更加复杂,对测试和建模的精度都提出了更高的要求。因此对射频低噪放进行精确测试得到其散射参量(S参数),并准确建立测试模型是提高电路设计成功率和保证产品可靠性的重要环节。常规SOLT校准方法局限于同轴连接方式,无法校准夹具的微带部分，对于含微带线的夹具校准效果较差。本文利用自动夹具移除(AFR)算法,通过计算多项误差模型得出夹具的S参数，将夹具S参数导入矢量网络分析仪对测试夹具引入的误差进行修正，极大优化了测试结果。