低温等离子体处理恶臭废气研究

用低温等离子处理恶臭气是一门新兴的技术。通过对典型的恶臭物质硫化氢、乙硫醇、苯、甲苯等恶臭物质的低温等离子脱除试验,结果表明:采用电晕放电形式的低温等离子体处理恶臭废气是可行的,停留时间越长、电压越高脱除效果越好,当停留时间>9s,电压>20kV时恶臭物质的去除率基本>90%,进一步延长停留时间和升高电压,去除效率并不会大幅度提高。低浓度的烷烃背景气体对恶臭的脱除效率基本无影响,高浓度的烷烃背景气体使恶臭物的脱除效率下降,较高浓度氢气的存在也会降低恶臭物的脱除效率,而氧气浓度的提高可以显著提高硫化氢脱除率。     

Cr(VI)离子在TiO2表面的吸附与光催化还原消除

随着体系pH值增大,Cr(VI)离子在TiO₂表面的吸附下降。当Cr(VI)离子初始浓度为300μmol/L时,其在TiO₂表面具有最大值吸附。H₂PO₄^-阴离子及乙酸的存在对Cr(VI)离子的吸附有阻抑作用,甲酸存在会提高Cr(VI)离子的吸附。Cr(VI)离子在TiO₂半导体催化剂表面的光催化还原受体系的酸度影响较大。H₂PO₄^-阴离子或Mn²⁺离子存在会降低Cr(VI)离子的光催化还原效率。在太阳光照下,Cr(VI)离子在TiO₂上的光催化还原也可实现。通过调节反应结束后水溶液的酸碱度,Cr(VI)离子得以消除。反应后催化剂经酸处理,其活性恢复并可重复使用。     

Cr(VI)离子在TiO_2表面的吸附与光催化还原消除

随着体系ｐＨ值增大，Ｃｒ（ＶＩ）离子在ＴｉＯ２表面的吸附下降．当Ｃｒ（ＶＩ）离子初始浓度为３００μｍｏｌ／Ｌ时，其在ＴｉＯ２表面具有最大值吸附．Ｈ２ＰＯ４－阴离子及乙酸的存在对Ｃｒ（ＶＩ）离子的吸附有阻抑作用，甲酸存在会提高Ｃｒ（ＶＩ）离子的吸附．Ｃｒ（ＶＩ）离子在ＴｉＯ２半导体催化剂表面的光催化还原受体系的酸度影响较大．Ｈ２ＰＯ４－阴离子或Ｍｎ２＋离子存在会降低Ｃｒ（ＶＩ）离子的光催化还原效率．在太阳光照下，Ｃｒ（ＶＩ）离子在ＴｉＯ２上的光催化还原也可实现．通过调节反应结束后水溶液的酸碱度，Ｃｒ（ＶＩ）离子得以消除．反应后催化剂经酸处理，其活性恢复并可重复使用．     

催化臭氧氧化降解罗丹明B的初步研究

研究了过渡金属硝酸盐及Al2O3为载体担载催化剂在罗丹明B臭氧氧化过程中的催化作用,考察了温度、pH值以及催化剂浓度等因素对反应的影响.结果表明,过渡金属离子可显著地提高罗丹明B的脱色速率,而担载型过渡金属氧化物催化剂活性较低.较低的pH值和反应温度有利于罗丹明B的催化臭氧化.罗丹明B溶液经过催化臭氧氧化后COD去除率可提高24%.