| GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究 |
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| 作者姓名： | 席善斌 裴选 迟雷 尹丽晶 高东阳 彭浩 黄杰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051 |
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| 摘 要： | ![]()
GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。
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| 关 键 词： | GaNHEMT 二维电子气 压电极化 逆压电效应 临界电压 |
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