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| MCS51单片机系统电磁干扰测试研究 | |
| 引用本文： | 臧扬.MCS51单片机系统电磁干扰测试研究[J].装备环境工程,2008,5(4). |
| 作者姓名： | 臧扬 |
| 作者单位： | 中国人民解放军73906部队52分队,南京,210049 |
| 摘 要： | 为了确定MCS51单片机系统工作模式下的电磁场的时空分布,利用电磁兼容扫描仪对系统进行扫描分析,找出系统三维电磁场辐射图形,从而精确定位辐射干扰源的位置并分析频谱成分.试验结果表明:系统正常工作时MCS51单片机芯片、晶振以及程序存储器是产生干扰频率的主要来源,电磁辐射强度最高可达36 dBμV. |
| 关 键 词： | 电磁干扰 辐射强度 MCS51单片机 |
Research on EMI Test of MCS51 Single Chip |
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| ZANG Yang.Research on EMI Test of MCS51 Single Chip[J].Equipment Environmental Engineering,2008,5(4). | |
| Authors: | ZANG Yang |
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