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| 一种用于RFID标签芯片LDO稳压源的设计 | |
| 引用本文： | 杨盛波,唐宁,覃贤芳.一种用于RFID标签芯片LDO稳压源的设计[J].安防科技,2008(12):37-41. |
| 作者姓名： | 杨盛波 唐宁 覃贤芳 |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学信息与通信学院,广西,541004 |
| 摘 要： | 基于RFID标签芯片的低功耗要求,本文设计了一种超低功耗的LDO稳压源.其特点是采用0.35μm标准的CMOS数字工艺,采用弱偏置电流,使电路中的主要功能MOS管都工作在亚阈值状态,结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好.在spectre环境下仿真表明,该LDO稳压源有较宽的输入电压范围(3～8v),较低的输入输出压差(10mV),并且电路所消耗的功率在20μw左右. |
| 关 键 词： | 亚阈值 带隙基准源 电源抑制比 低功耗 LDO |
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