| 砷(Ⅲ)离子印迹聚合物的制备及吸附性能研究 |
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| 作者姓名： | 张梦圆 马晓国 黄仁峰 李桂英 |
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| 作者单位： | 广东工业大学环境科学与工程学院,广州,510006;华南理工大学环境与能源学院,广州,510006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.41272262）;广东省科技计划项目（No.2016A040403112）;广东省教育厅重大项目（自然科学）（No.261555101） |
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| 摘 要： | 以磁性氧化石墨烯为载体,砷离子(As(Ⅲ))为模板离子,3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)为功能单体,正硅酸乙酯(TEOS)为交联剂合成了As(Ⅲ)离子印迹磁性氧化石墨烯纳米材料(MGO-IIP),并使用扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X-射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计对合成材料进行了表征.同时,考察了MGO-IIP对As(Ⅲ)的吸附特性.结果表明:318 K下MGO-IIP对As(Ⅲ)的最大吸附量为148.1 mg·g~(-1),仅20 min即可达到吸附平衡,印迹因子为2.35;吸附过程服从Langmuir模型和准二级动力学模型,说明是自发的吸热过程;在其他干扰离子存在的情况下,MGO-IIP对As(Ⅲ)仍然具有良好的吸附效果,且能够重复使用4次,在含砷废水处理中具有应用价值.MGO-IIP材料对As(Ⅲ)的吸附机制为表面络合作用及物理吸附.
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| 关 键 词： | 砷 离子印迹 选择性吸附 磁性氧化石墨烯 |
| 收稿时间： | 2019-01-30 |
| 修稿时间： | 2019-04-10 |
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