| GaAs微波小功率晶体管加速退化试验数据分析 |
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| 引用本文： | 高金环,迟雷,陈龙坡.GaAs微波小功率晶体管加速退化试验数据分析[J].环境技术,2019,37(3). |
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| 作者姓名： | 高金环 迟雷 陈龙坡 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心 , 石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所 , 石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心 , 石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所 , 石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心 , 石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 本文以GaAs微波小功率晶体管为研究对象,分别开展不同温度应力的直流稳态、射频动态加速退化试验。通过分析不同温度应力下同种类型加速退化试验结果,揭示GaAs微波小功率晶体管的退化失效时间与开尔文温度的倒数呈指数变化规律;通过比对相同温度应力下直流稳态、射频动态加速退化试验,发现同温度应力下,直流稳态较射频动态工作造成的GaAs微波小功率晶体管饱和漏电流的变化更为剧烈。
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| 关 键 词： | 饱和漏电流 加速退化试验 直流静态 射频动态 失效率 |
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