| SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响 |
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| 引用本文： | 席善斌,裴选,迟雷,尹丽晶,高东阳,彭浩,黄杰.SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响[J].环境技术,2019,37(6). |
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| 作者姓名： | 席善斌 裴选 迟雷 尹丽晶 高东阳 彭浩 黄杰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;国家半导体器件质量监督检验中心,石家庄 050051 |
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| 摘 要： | GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。
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| 关 键 词： | GaNHEMT 辐射效应 钝化层 二维电子气 可靠性 |
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