| TVS二极管HEMP响应能力实验研究 |
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| 引用本文： | 杜鸣心,姜雯雯,孙晋,周颖慧.TVS二极管HEMP响应能力实验研究[J].环境技术,2014(Z2). |
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| 作者姓名： | 杜鸣心 姜雯雯 孙晋 周颖慧 |
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| 作者单位： | 解放军理工大学电磁环境效应与电光工程国家级重点实验室,南京,210007 |
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| 摘 要： | 高空核爆炸产生的电磁脉冲（HEMP）上升前沿时间约为2.3ns,峰值场强可达50kV/m，会对电子设备的安全运行产生极大的影响。HEMP传导干扰的防护需要使用具有快速响应能力的电涌保护器件（SPD），但常规SPD器件的指标主要针对雷电电磁脉冲（LEMP），为了更详细地了解SPD的HEMP响应能力，选择一款具有快速响应能力的瞬态电压抑制二极管（TVS），采用不同脉冲波形进行了测试，得到了这类TVS的HEMP响应特性，并与雷电电磁脉冲进行了对比。结果表明该器件对HEMP的响应时间约为6.5ns，损伤阈值电压约为30kV。实验研究结果对于HEMP防护中的器件选择具有参考价值。
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| 关 键 词： | HEMP LEMP 传导干扰 TVS二极管 响应特性 |
Experimental Study of the Response Ability of TVS Diode to HEMP |
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| DU Ming-xin,JIANG Wen-wen,SUN Jin,ZHOU Ying-hui.Experimental Study of the Response Ability of TVS Diode to HEMP[J].Environmental Technology,2014(Z2). |
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| Authors: | DU Ming-xin JIANG Wen-wen SUN Jin ZHOU Ying-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HEMP LEMP conducted interference TVS diode response characteristics |
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