|
|||||
|
|
| 高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析 | |
| 引用本文： | 高金环,黄杰,席善斌.高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析[J].环境技术,2019(3). |
| 作者姓名： | 高金环 黄杰 席善斌 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所;国家半导体器件质量监督检验中心 |
| 摘 要： | GaAsPIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAsPIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAsPIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |