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| 基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展 | |
| 引用本文： | 曾庆锴,卢健,李彩,张冬冬,张勇.基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展[J].环境技术,2019(4). |
| 作者姓名： | 曾庆锴 卢健 李彩 张冬冬 张勇 |
| 作者单位： | 上海微小卫星工程中心 |
| 摘 要： | Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |