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高空核爆炸产生的电磁脉冲(HEMP)上升前沿时间约为2.3ns,峰值场强可达50kV/m,会对电子设备的安全运行产生极大的影响。HEMP传导干扰的防护需要使用具有快速响应能力的电涌保护器件(SPD),但常规SPD器件的指标主要针对雷电电磁脉冲(LEMP),为了更详细地了解SPD的HEMP响应能力,选择一款具有快速响应能力的瞬态电压抑制二极管(TVS),采用不同脉冲波形进行了测试,得到了这类TVS的HEMP响应特性,并与雷电电磁脉冲进行了对比。结果表明该器件对HEMP的响应时间约为6.5ns,损伤阈值电压约为30kV。实验研究结果对于HEMP防护中的器件选择具有参考价值。 相似文献
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介绍了相关标准中对浪涌电压抑制的要求,并总结比较了几种常用的浪涌电压抑制电路。在此基础上,设计并研究了一种新颖的基于集成芯片的两级级联拓扑结构,克服了传统单级浪涌抑制方案中功率器件电流不均衡的难题。该电路可以同时驱动控制两级浪涌电压抑制电路,响应速度快,自动调整性更好,体积更小,可靠性更高。最后通过仿真和试验验证了该电路的可行性。 相似文献
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外界环境因素(温度、潮气、核辐射以及各种电磁环境)会对光缆产生影响。不仅含有金属构件的光缆会受到外界电磁场的感应影响,而且在强电磁脉冲作用下,一些无金属构件的光缆也会改变光纤的传输衰耗特性及模式结构。在危险工业环境下,光纤的安全性同样受到威胁。本文在分析这些影响的基础上介绍若干防护措施。 相似文献