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81.
选择内蒙古自治区某县长期暴露于高砷饮用水的人群中有皮肤损害者199人(病例组)和无皮肤损害者91人(对照组)作为研究对象,检测饮用水砷、尿砷和DNA氧化损伤的主要标志物8-羟基脱氧鸟苷(8-OHdG)水平,以分析慢性砷中毒人群DNA氧化损伤与皮肤损害的相关性.结果表明,砷性皮肤损害组和无皮肤损害组人群尿中8-OHdG水平的中位数(四分位间距)分别为4.9(3.5~6.3)μg/g和5.3(4.1~7.2)μg/g,2组对象尿中8-OHdG水平间差异无统计学意义(P=0.074);多元Logistic回归分析结果显示,在校正了年龄、体质指数(BMI)、吸烟、饮酒和饮用高砷水时间等可能的混杂因素后,皮肤损害组人群尿中8-OHdG水平升高的比值比(OR)为1.1(95%CI:0.6,1.9),提示在砷暴露人群中,有无皮肤损害与8-OHdG水平的差异无统计学意义(P=0.863).慢性砷中毒人群皮肤损害与体内的DNA氧化损伤之间无显著的关联性,无皮肤损害人群同样有DNA氧化损伤的风险. 相似文献
82.
运用富集系数等多种评价方法和多变量分析方法对海州湾潮滩HZ02岩芯沉积物的7种重金属(Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、As、Pb)进行了污染生态风险评估和金属来源识别。结果表明,海州湾潮滩岩芯沉积物重金属平均浓度分别为Cr(92.56×10-6)、Mn(1492.02×10-6)、Ni(48.01×10-6)、Cu(40.24×10-6)、Zn(116.23×10-6)、As(17.98×10-6)和Pb(44.98×10-6),其平均浓度由大到小的顺序为:Mn > Zn > Cr > Ni > Cu > Pb > As。7种重金属浓度在1980年后开始逐渐上升,1985~1990年为低峰值,1990年后呈快速上升趋势。海州湾潮滩沉积物7种重金属在5种评价方法评估中均表现为轻度至中度污染。多变量分析结果表明重金属分三类:第一类为重金属Cr、Ni、Cu和Zn,可能来自工业和城市污染的排放,第二类为重金属Mn和As,可能来自农业污染,第三类为Pb,可能来源于海港交通。 相似文献
83.
从青岛市黄岛边的某富营养化池塘中分离得到1 株具有溶藻能力的细菌,命名为YZ.通过生理生化及16S rRNA 序列对比分析鉴定,YZ 菌株属于无色杆菌属(Achromobacter).该株细菌能够有效地溶解铜绿微囊藻、小球藻和栅藻.YZ 的菌体过滤液经高温灭菌以及蛋白酶K 处理后,能强烈抑制铜绿微囊藻的生长.而YZ 菌体悬液对微囊藻无溶解作用,因此可推断YZ 菌株的溶藻因子,是一种菌体胞外分泌的非蛋白类、具有热稳定性的物质.YZ 处理过的铜绿微囊藻溶液中的丙二醛含量有较大提高,说明藻发生了膜脂过氧化. 相似文献
84.
采用共沉淀法和高温煅烧法制备 Fe2O3和 Mo S2复合材料(FM),将其作为非均相催化剂活化过硫酸盐(PS)降解磺胺嘧啶(SDZ)。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对FM的形态和结构进行表征。研究了FM投加量、PS浓度、初始p H、无机阴离子、腐殖酸对SDZ降解的影响。结果表明:在FM投加量为0.4 g/L、PS浓度为1 mmol/L、初始p H为7、SDZ浓度为20 μmol/L条件下,FM/PS体系在30 min内对SDZ的降解率达到100%。电子顺磁共振(EPR)和自由基淬灭实验结果表明,FM/PS 体系中主要的活性因子为硫酸根自由基(SO4·-)和羟基自由基(·OH),其中 SO4·-起主导作用。FM/PS 体系降解 SDZ 的机理为:Mo S2表面的Mo4+直接催化PS,同时促进Fe2O3 相似文献
85.
生物菌肥与石灰配施对水稻吸收积累Cd的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用田间随机区组试验的方法,研究了基施生物菌肥(Bi处理)与追施石灰(L处理)及其配合施用(Bi+L处理)对晚稻湘晚籼12号生物量、水稻对土壤Cd的富集情况、4个生育期内各部位间转运系数以及各部位中Cd含量的影响。结果表明,水稻各部位间Cd含量从大到小依次为根部、茎鞘、穗部、叶片,随不同生育期对营养物质的需求而改变,各处理不会影响水稻生物量及转运系数,并能降低水稻各部位富集Cd能力,使水稻糙米中Cd含量显著降低,其中以生物菌肥与石灰配施的降Cd效果最佳。 相似文献
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87.
88.
通过微生物法实现废手机PCB基板与其表面元器件分离,并探究最佳的工艺条件.采用嗜酸氧化亚铁硫杆菌(Acidithiobacillus ferrooxidans,以下简称A.f菌)脱除废手机PCB表面元器件,研究结果表明,经接种处理,浸出3d后,PCB表面元器件有少量脱除;浸出5d后,PCB表面元器件大部分可被脱除,仍有个体较大的元器件未被脱除;浸出7d后,PCB表面元器件被完全脱除;未接种对照组中PCB表面元器件未发生脱除.通过ICP-OES测得A.f菌作用7d的浸出液中含有大量的金属离子,而这些金属离子是构成元器件与PCB衔接处焊脚的主要组成成分,其中Ni、Zn、Al通过A.f菌作用后以离子形态进入浸出液中,焊脚中的单质Sn通过A.f菌作用后转化为离子态进入浸出液中,在浸出液中又迅速形成含锡沉淀物,在浸出第1d浸出液中Sn离子含量急速下降.通过设置不同浸出条件的单因素实验,结果表明:当培养基初始pH值为1.0,固液比为3:50,接种量为15%,温度为30℃,转速为125r/min时,A.f菌脱除手机PCB表面元器件效果最佳.浸出7d后,PCB表面元器件可被完全脱除. 相似文献
89.
90.