某装置海洋环境下腐蚀失效分析及控制措施研究

目的 解决采用ZL205A制造的某装置在海洋环境下的腐蚀失效问题.方法 分析装置所处的海洋浪花飞溅区的使用环境,对腐蚀原因与机理进行深入查找、研究.针对腐蚀原因,制定针对性的腐蚀控制措施,并通过试验予以验证.结果 装置腐蚀失效的主要原因为在海洋高盐、高湿的使用环境下,防腐蚀设计不足,防腐措施不到位,产生了电偶腐蚀、缝隙腐蚀、点蚀、晶间腐蚀、应力腐蚀等.制定的腐蚀控制措施主要有更换耐腐蚀性能较好的ZL114A材料、采用异种金属隔离、完善结构设计与加强过程控制、加强表面涂覆和维护保养等4方面.验证试验表明,采用综合防护措施的ZL114A试样腐蚀轻微,防腐效果良好,而采用原技术状态的ZL205A试样,腐蚀严重,防腐效果差.结论 采取综合防护措施的ZL114A装置在海洋环境下的耐腐蚀性显著提高,实际使用效果良好.     

建设项目"三同时"制度中存在的问题及分析

本文就我国“三同时”制度实施中存在的问题进行了较全面的剖析，并针对这些问题提出了解决的办法，为我国进一步完善“三同时”制度，拓展“三同时”管理的内涵，制订有关“三同时”管理细则提供了有价值的参考。     

Optimization of harmonious development on regional energy-economy-atmospheric environment system

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固相微萃取-毛细管气相色谱法测定水中有机污染物

固相微萃取是一种快速、简便、集萃取浓缩于一体的样品前处理技术,具有分析快速、灵敏度高、无需有机溶剂的优点。用固相微萃取-毛细管气相色谱分析水中甲醇、丙酮、异丙醇、乙醇、乙腈、丙烯腈,检出限可达0.003～0.03mg/L。     

城市供水管网漏损控制潜力研究

在我国各城市普遍缺水的同时，城市供水管网的漏损状况却相当的严重，科学衡量漏损控制的潜力，对于控制漏损和科学地进行城市水资源规划和需求管理非常重要。从技术潜力、经济潜力、社会潜力三方面将城市供水管网漏损控制的潜力进行了分析。提出了以社会最优值作为漏损控制的目标，以社会潜力作为需求管理的依据，同时综合考虑技术潜力和经济潜力。社会最优控制水平和企业的经济漏损控制水平之间有时会存在很大差异。科学的划分政府和企业在控制漏损的义务是非常必要的，如果需要企业的漏损控制水平小于经济漏损水平时政府应该给予一定的补偿，这样才能增加企业控制管网漏损的积极性。     

南海ODP1144孔微玻璃陨石物理化学性质及母源物质的复杂性

ODP 184航次 114 4孔位于南海北部陆缘 (2 0°3.18′N ,117°2 5 .14′E ,水深 2 0 37m) ,在岩心样品中发现的微玻璃陨石主要赋存于 386 .17～ 386 .2 7mcd处 ,这些玻璃陨石主要以球形和椭球形为主 ,可见泪滴状、马鞍形、扁豆形、圆盘形、哑铃形、翼形、异形等形态和不规则状碎片。通过微玻璃陨石主量元素电子探针分析 ,并用Harker图解讨论了主量元素氧化物之间的相关性 ,同时结合Niggli参数进一步深入探讨微玻璃陨石的母源物质特征。研究结果表明 ,ODP114 4孔微玻璃陨石属于澳亚散落区内的普通型微玻璃陨石 ,其母源物质成分复杂 ,可能有两种或两种以上的物质组成 ,一种可能是化学成分没有太大变化的碎屑沉积岩 ,另一种可能是粘土及杂砂岩等。     

脱硫用煤基吸附剂的试验研究

进行了以煤为原料制备脱硫用吸附剂的实验研究，其中应用炭化与活化的方法，以对ＳＯ２吸附能力为衡量标准，系统地考察了样品在制备过程中不同温度，不同温升速率及时间对ＳＯ２吸附分离能力的影响，力求找出相应的最佳处理过程，并对机理进行探讨。     

气提式循环反应器生物膜与游离活性污泥的对比试验探讨

通过对气提式循环反应器处理污水中载体生物膜和游离活性污泥的对比试验，分析指出：活性污泥有利于有机物的去除和混合液的沉降性；生物膜的存在，增加了生物量，提高了处理效率，且是硝化的主要原因     

含硫化合物的气相色谱检测响应特性研究

利用气相色谱（配炎焰光度检测器）对二硫化碳（ＣＳ２）、甲硫醇（ＣＨ３ＣＨ）、甲硫醚（ＤＭＳ）和二甲二硫醚（ＤＭＤＳ）４种含硫物质进行了分析检测，着重讨论了气相色谱仪的各项参数对几种含硫物质响应和分离效果的影响。结果表明：该分析对含硫气体的最小检测浓度达到ｐｐｂ级。在各项参数中，色谱柱温度在Ｎ２压力对各含硫物质响应和分离度影响最大，汽化室和检测器温度及空气压力对它们的影响相对较小。     

废水中GaAs、Ga3+、Ge4+对活性污泥脱氢酶的影响及其抑制动力学

以活性污泥脱氢酶的活性作为毒性指标,研究了半导体材料GaAs、Ga³⁺、Ge⁴⁺对活性污泥活性的抑制影响,并用Hg²⁺作为参比材料;同时对抑制动力学也作了初步研究。实验表明,GaAs、Ga³⁺、Ge⁴⁺及Hg²⁺的10％抑制浓度分别为45.00,371.63,0.13ppm/gMLSS,GaAs、Ga³⁺、Ge⁴⁺和Hg²