中国集成电路制造行业VOCs排放特征及控制对策

中国电子信息产业发展迅速,集成电路等电子器件产量不断增加.在集成电路制造的过程中,大量有机溶剂的使用导致VOCs的产生和排放,从而对大气环境造成影响.为掌握集成电路制造行业VOCs的排放特征,系统分析了其工艺流程和产排污环节,分析了行业废气收集和治理现状,通过对典型企业VOCs的排放监测,获得VOCs排放水平;采用排放因子法核算行业VOCs历史排放量,并基于行业排放特征及减排潜力分析,提出了相应的污染防治对策.结果表明：在集成电路制造中,VOCs排放环节主要集中在光刻、清洗、去胶等过程,1 m²集成电路产量约使用87 g有机溶剂,VOCs产生量较大;通过采取高效的VOCs治理技术,集成电路制造行业有组织排放水平较低,平均浓度为2.1 mg·m^-3,但厂界无组织排放浓度相对较高,平均浓度为0.78 mg·m^-3,接近国家标准的排放限值.根据排放量核算结果,2011—2016年中国集成电路制造行业VOCs排放量呈逐年上升的趋势,主要受产量增加而相应污染控制技术水平提升有限的影响,无组织排放量比重大,占排放总量的38.1%~45.1%.     

南京八卦洲农用地表层土壤重金属分布特征及风险评价

为查明南京八卦洲土壤重金属污染物类型及其影响范围,于2017年12月在洲内采集了471个表层土壤样品,测定了pH及As、Cd、Cr、Cu、Hg、Ni、Pb、Zn等8种重金属元素浓度,采用单因子指数法、内梅罗综合指数法和潜在生态危害指数法进行了污染风险评价。研究结果表明:As、Cd、Cr、Cu、Hg、Ni、Pb和Zn平均浓度分别为10.66、0.32、86.74、43.25、0.10、40.34、33.50和108.33 mg·kg-1,除As、Hg元素外,其余6种元素均超过南京市背景值,出现大范围的富集;Cd元素为研究区主要污染物,绝大部分为Ⅱ级轻微污染,均分布于八卦洲服务区附近的中、酸性土覆盖区,需做好安全利用措施。从全区来看研究区大部分农用地土壤处于安全生产级别,仅有少部分区域处于Ⅱ级和Ⅲ级风险水平,总体上潜在生态危害较低。     

石墨烯在防腐涂料中的研究进展及应用

简要叙述了石墨烯结构性能以及当前主流制备石墨烯的方法。概述了最近几年来石墨烯在防腐涂料中的研究进展情况,包括石墨烯在涂料中的添加量、分散技术、原位改性等对涂料性能的影响。研究表明,在涂层中分散均匀添加量适中的石墨烯可以对防腐涂料性能有较大的提升,探讨了石墨烯在防腐涂层中的应用机理,同时对石墨烯防腐涂料的应用发展进行了展望。     

表征室外人体暴露的监测网络设计(续完)

对悬浮颗粒物室外人体暴露的测定一直受到可用资源的限制。设计有效的网络就要求对测定方法的选择、采样点的数量、采样时间、采样频率等进行调整。采样位置要求能表征因周围污染源对附近地区和城市最小影响的空间数值。虽然大多数判定PM是否达标的测定方法是每第3天至第6天的24h监测，但是室外人体暴露的评价要求连续监测一整天。最好有1h或更短时间的监测时段。更详细的粒径大小和化学性质数据也很有必要，因为较小的颗粒及其特殊的化学物质要比总的样品质量更有助于反映对健康的不良影响。     

表征室外人体暴露的监测网络设计(续一)

对悬浮颗粒物室外人体暴露的测定一直受到可用资源的限制，设计有效的网络就要求对测定方法的选择、采样点的数量、采样时间、采样频率等进行调整。采样位置要求能表征因周围污染源对附近地区和城市最小影响的空间数值。虽然大多数判定PM是否达标的测定方法是每第3天至第6天的24h监测，但是室外人体暴露的评价要求连续监测一整天，最好有1h或更短时间的监测时段。更详细的粒径大小和化学性质数据也很有必要，因为较小的颗粒及其特殊的化学物质要比总的样品质量更有助于反映对缝康的不良影响。     

农村生活污水处理实用技术新进展

对高效藻类塘、一体化氧化沟、蚯蚓生态滤池和土壤毛细管渗滤净化系统四种实用工艺的特点和效果进行了介绍和分析，以供决策者参考。     

手工电弧焊过程危害分析及对策

电焊作业广泛地应用于压力容器、管道、设备的制造、安装、检维修作业以及建筑施工作业中.根据焊接条件的不同,可以将电弧焊分成许多种类,例如手工电弧焊、埋弧焊和气体保护电弧焊等,其中手工电弧焊是常用、简单易行的一种焊接方法.文章重点介绍了手工电弧焊焊接过程中的危害及预防对策.     

化工废渣(磷石膏)代替天然石膏制做水泥添加剂的研究

研制用化工废渣(磷石膏)代替天然石膏做水泥生产过程中的添加剂,其生产出的水泥质量完全可以达到国家规定的有关标准,而生产成本却明显下降,是一种处理废渣的好方法。     

共生细菌SB1降解聚乙烯醇的研究Ⅱ．共生细菌SB1聚乙烯醇氧化酶的产生、纯

共生细菌ＳＢ１接种在０．３％聚乙烯醇培养堪中，３０℃摇床振荡培养或发酵罐通气培养时，ＰＶＡ氧化酶产生的高峰在４８ｈ或４０ｈ。离心收集的上清液采用４０％－５０％饱和度的硫酸铵分级沉淀ＤＥＡＤ－Ｓｅｐｈａｄｅｘ离子交换柱和Ｃｉｂａｃｒｏｎ蓝Ｓ－Ｓｅｐｈａｒｏｓｅ４Ｂ亲和柱层析等纯化步骤。ＰＶＡ氧化酶收得率３０％，比活力提高３０倍。