H.265在智能分析仪上的应用

2014年可以说是H.265的元年——海思推出首款H.265的编码芯片3516A。随着这颗具有跨时代意义芯片的诞生,高清时代所必须的高清晰、低带宽实现了"更上一层楼"。从H.264诞生到今年已经有十个年头,在这十年间H.264对推动高清的发展和普及立下了汗马功劳,从而实现了"江湖一统"的局面。目前市面上几乎所有的网络编码都是基于H.264编码,但是随着对分辨率要求的不断提升,更大路数的联网以及存储空间的激增,让H.264的编码压缩变得越来越难以应付。基于这一点,H.265在     

密封充氢环境条件下固态电化学氢气传感器效应试验研究

目的研究密闭充氢环境下固态电化学氢气传感器效应。方法设计能模拟低氧、低氢和压力变化的密闭充氢环境,并在此环境中进行一系列氢气传感器效应试验,分析、评定试验数据。结果得到了不同环境下氢气、氧气浓度随时间变化的规律,提出固态电化学氢气传感器的有效工作环境,并预测了其在不同贮存环境下的工作寿命。结论密闭充氢环境内压力和温度的变化对固态电化学氢气传感器影响较大,湿度影响较小,注气检定合格的氢气传感器,在密封容器内扩散式检定,不合格率高,检定数据误差大于±5%FS。     

对防护服装辅件标准化发展及合规应用的思考

防护服装作为个体防护最重要的装备之一,其发展一直得到业界广泛关注。由于防护服装的功能特征主要来自于面料特性,因此人们的关注点常常放在面料上而忽略了服装辅件,然而辅件作为防护服装不可或缺的一部分,错误的应用往往会导致二次伤害的发生,加上近年来智能芯片、信息传感技术等在服装领域应用的兴起,服装辅件的功能性得到了更大的扩展,因此我们理应更加关注服装辅件如何更加标准化和合规化地应用。     

侵彻引信用磁电传感器的输出特性仿真分析

目的 解决侵彻引信用磁电传感器在不同侵彻环境下输出特性难以预知的问题,掌握不同结构参数对传感器输出的影响。方法 基于一种新型磁电传感器的结构原理,提出一种联合仿真研究方法,研究过程分为2部分,一部分是利用ADAMS软件进行磁电传感器惯性系统的力学特性仿真,另一部分是利用COMSOL软件进行传感器机电转换元件的磁电特性仿真,仿真模型的输入是战斗部在穿靶过程中的过载信息。通过磁电传感器在多次冲击加载试验中获取的实测数据,对仿真模型的仿真结果进行验证。改变仿真模型的相关参数,模拟并分析传感器结构对仿真输出特性的影响。结果 仿真穿靶时间的平均绝对误差约为138 μs,穿靶时刻仿真电压值的平均相对误差约为5.9%。在给定力学环境的前提下,侵彻引信用磁电传感器中的线圈与磁铁的相对高度会影响输出信号的正负、幅值以及波峰出现的时间,线圈匝数、线圈与磁铁之间的间隔仅对信号的幅值产生影响。结论 仿真误差在可控范围内,验证了联合仿真模型的正确性与该研究方法的可行性。该仿真模型可以为侵彻引信用磁电传感器的设计提供指导,并为后续进一步验证侵彻引信起爆控制系统的性能工作提供了新的思路。     

手提式气味传感器XP-329Ⅲ(通用型)

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上海率先升级银联卡芯片防高科技智能犯罪

磁条卡犯罪逼银联卡“芯”升级上海将首试。     

聚焦摄像机先进技术

描述摄像机质量的技术指标有:摄像器件的数量、尺寸、种类、像素数,如3片2/3英寸帧行间转移式CCD,像素数786×581;灵敏度,如在照度2000Lux,色温3200K,OdB增益下光圈用F8.0;信噪比:S/N,如60dB;水平分解度,如700电视线;重合误差,如少于0.05％;垂直拖尾,如-120dB;动态范围,如600％等。为了提高摄像机的质     

飞利浦RFID芯片结合IBM软件已投入应用

飞利浦电子(Philips Semiconcutor)13前宣布，其半导体部门在亚洲的供应链成功引入无线射频识别(RFID)系统技术，成为半导体行业首家采用此技术的公司。     

智能化有害有毒气体污染源监测仪的研究

为了快速寻找有害有毒气体污染源,利用8个红外激光气体传感器,分别安装步进电机驱动旋转的圆盘圆周上在不同的方向上对污染气体进行数据采集。同时与二维热差式风速风向传感器采集到的风速风向数据,一并送入MSC1210单片机进行数据处理和运用智能人工神经网络进行模式训练与模式识别,从而识别出污染源的位置、浓度和种类。通过GPS全球卫星定位系统和GPRS无线传输网络,把监测到的信息发送给相关部门早做处理,并报警,避免污染进一步扩散。实验表明,该智能化追索气体污染源监测仪具有良好的可靠性、安全性和实用性。     

石墨烯薄膜原子氧剥蚀行为及电阻特性

目的研究石墨烯薄膜在原子氧空间环境的适应性,为其在航天器上应用提供参考。方法采用刮涂法制备石墨烯薄膜,将石墨烯薄膜材料及石墨烯电阻传感器置于微波源原子氧设备内开展原子氧试验,原子氧剂量分别为3.0×10^20 atoms/cm2和7.5×10^20 atoms/cm^2,研究薄膜表面形貌、结构、成分及电阻性能的变化。结果采用刮涂法可制备氧含量较低的石墨烯薄膜,原子氧剂量为7.5×10^20 atoms/cm^2情况下,石墨烯薄膜的厚度损失为5.3μm,原子氧反应率为7.14×10^-25 atoms/cm^3。原子氧作用后,石墨烯薄膜中碳原子无序程度增大,C—O、—COOH官能团含量降低,C=O官能团含量增加。石墨烯电阻传感器的R0/R比值随原子氧剂量增加线性降低,0.8μm厚度薄膜可探测最大原子氧剂量为5×10^19 atoms/cm^2,增加薄膜厚度有望提高传感器的使用寿命。结论得到了石墨烯薄膜厚度损失、原子氧反应率、微观结构及电阻特性的变化规律,可为石墨烯薄膜的空间应用提供技术支撑。