Effects of CdCl2 thermal annealing on CdZnTe thin films deposited by close-spaced sublimation

采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒尺寸明显增大,晶粒分布更加均匀;XRD分析结果显示,退火后薄膜的最强峰（111）峰的半峰宽变窄,薄膜沿（111）方向的择优取向明显增强;退火后薄膜的光学透过率降低,截止边红移,光学禁带宽度减小;薄膜的电阻率在退火后下降了两个数量级。     

某钢厂机械伤害事故的原因分析及对策措施

2013年6月16日,某钢厂轧钢分厂在员工处理高速线材生产线打捆机故障过程中,发生一起机械伤害事故,造成1人死亡。     

EL20-2型乳化炸药自动装药机的改进及故障分析与对策

文章介绍了EL20-2型乳化炸药自动装药机结构及工作原理,对自动装药机的改进,并对因改进产生药条破损、废药多等突出问题,导致产能降低等几个方面进行了分析与解决,有效地降低了设备的故障率,并使产能稳定在每小时1.6t以上,提高了设备的使用效率,从而实现有效的改进。     

MOx颗粒活性炭镀层粒子电极对苯酚的电催化降解特性

为研究半导体金属氧化物颗粒活性炭镀层粒子电极苯酚电催化性能,采用溶胶-凝胶、氧化还原与热分解方法,将TiO₂、MnO₂与SnO₂-Sb和SnO₂-Sb-Mn纳米金属氧化物镀层于AC(颗粒活性炭)表面,制备了催化型粒子电极,使用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及循环伏安曲线(CV)对其物相组成、微观形貌及电催化活性进行表征与分析. 结果表明,这4类金属氧化物可以不同赋存状态存在于AC表面,粒子电极表面活性组分晶格尺寸分别为10.64、11.34、14.68及13.50 nm;催化型粒子电极电催化活性明显高于未负载AC,各粒子电极电催化活性顺序为SnO₂-Sb-Mn/AC>TiO₂/AC>SnO₂-Sb/AC>MnO₂/AC. 半导体金属氧化物镀层可提高填充床电极反应器苯酚废水的催化降解性能,废水苯酚及COD_Cr去除率显著提升,TiO₂/AC、MnO₂/AC、SnO₂-Sb/AC及SnO₂-Sb-Mn/AC粒子电极在电流密度为8.0 mA/cm2的条件下连续电解2.72 h,出水苯酚及COD_Cr去除率分别为87.1%、92.8%、90.4%、100.0%和92.5%、89.3%、88.7%、97.2%,高于AC粒子电极的84.2%和79.1%,并且可消除苯酚电催化反应中醌类物质积累.      

民营危化企业安全管理5要素

浙江省是一个民营经济高度发达的省份,用人机制灵活多样,民营企业每年都招收大量生产线操作人员。他们来自全国各地,以农民工为主,文化水平较低,有些甚至是文盲,具有流动性大,工作更换频繁,缺乏安全意识、知识和技能等特点。对这部分人员的安全管理,令危化品企业感到非常棘手。     

纳米半导体材料促进厌氧产甲烷过程的研究进展

厌氧产甲烷既能保持碳通量又能有效转化能源,但其过程效率较低和底物利用率低制约了其发展.将纳米半导体材料介入到厌氧消化体系中,能加快产甲烷速率,提高甲烷产量.本文综述了纳米半导体材料介入厌氧产甲烷过程机理的研究进展,概括了不同纳米半导体材料对厌氧产甲烷效率及其过程的影响情况,基于优化微生物群落、促进直接种间电子传递(DI...     

钛酸四丁酯水解制备TiO2半导体光催化剂研究

研究了钛酸四丁酯水解制备TiO2粉末的两大影响因素R值（R是水和钛酸四丁酯的摩尔比）和烧结温度。通过光催化氧化五氯苯酚钠实验，结合对催化剂晶型结构、比表面积的表征分析，综合评价所制备的催化剂。实验结果表明，当R＝100、烧结温度为650℃、烧结时间为1h，钛酸四丁酯水解所制备的T iO2半导体光催化剂催化活性和使用寿命均比较理想。从晶型结构分析，当催化剂中锐钛矿和金红石胺一定比例共存时，其催化活性较单－金红石或锐钛矿高，实难认为锐钛矿与金红石的最佳比约为2：1。     

冶炼厂粗铅生产线废气治理技术研究

文章从治理工艺、主要设备、设计指标、工程运行监测结果及经济指标等方面,介绍了某冶炼厂采用除尘、SO2烟气制酸及脱硫工艺治理烧结机-鼓风炉粗铅生产线产生的废气,从实际监测结果可知该工程运行稳定,废气中的各项污染物排放浓度均符合排放标准的要求,处理效果分别达到《工业炉窑大气污染物排放标准》(GB9078-1996)二级标准和《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)周界外废气无组织排放限值的要求.     

基于灰色关联和层次分析法评价乳化炸药生产线的研究

采用层次分析法确定评价指标因素的相对权重,以灰色关联分析得出参评数据序列与标准数据序列之间的关联度,其中关联度最大值所对应的标准安全等级,即为乳化炸药生产线的安全等级。结果表明,基于灰色关联和层次分析法适用于乳化炸药生产线的安全评价。     

Abatement of waste gases and water during the processes of semiconductor fabrication

The purpose of this article is to examine the methods and equipment for abating waste gases and water produced during the manufacture of semiconductor materials and devices. Three separating methods and equipment are used to control three different groups of electronic wastes. The first group includes arsine and phosphine emitted during the processes of semiconductor materials manufacture. The abatement procedure for this group of pollutants consists of adding iodates, cupric and manganese salts to a multiple shower tower ( MST ) structure. The second group includes pollutants containing arsenic, phosphorus, HF, HCI, NO2, and SO3 emitted during the manufacture of semiconductor materials and devices. The abatement procedure involves mixing oxidants and bases in an oval column with a separator in the middle. The third group consists of the ions of As, P and heavy metals contained in the waste water. The abatement procedure includes adding CaCO3 and ferric salts in a flocculation-sedimentation compact device equipment. Test results showed that all waste gases and water after the abatement orocedures oresented in this article passed the discharge standards set by the State Environmental Protection Administration of China.