洁净气体灭火剂与火焰作用过程中氟化氢的产生量研究

采用半导体激光吸收光谱法,实时测试七氟丙烷、三氟甲烷和六氟丙烷等洁净气体灭火剂与火焰作用过程中产生的氟化氨质量浓度,对灭火剂在不同体积分数下产生的氟化氢量及其变化规律进行了研究,并考察了灭火速度对氟化氢产生量的影响.结果表明,当灭火剂体积分数低于临界灭火体积分数时,灭火剂的体积分数越高,灭火剂与火焰作用过程中产生的氟化氢质量浓度越大,在距临界灭火体积分数还很大时,产生的氟化氢质量浓度就超过了4 000mg/m3.当使用洁净化学气体灭火剂熄灭燃烧杯火焰时,灭火速度越慢,灭火过程产生的氟化氢就越多.3种灭火剂熄灭燃烧杯火焰时产生的氟化氢质量浓度随灭火时间变化规律基本一致.当灭火时间高于10 s时,产生的氟化氢质量浓度均超过了4000m/m3.     

半导体激光测尘技术在电厂的应用

对引进美国的ＣＥＭ系统中的激光测尘仪的工作原理、安装调试、系统校准、对比标定、误差分析及运行纵作了全面的介绍，认为激光测尘技术是一项有前途的检测手段。     

基因工程打造“生物激光器”

据英国《每日邮报》报道,美国科学家们宣布他们成功制成了全世界首个“生物激光器”,这是一种基因工程处理过的特殊细胞,它能产生激光束。     

Effects of CdCl2 thermal annealing on CdZnTe thin films deposited by close-spaced sublimation

采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒尺寸明显增大,晶粒分布更加均匀;XRD分析结果显示,退火后薄膜的最强峰（111）峰的半峰宽变窄,薄膜沿（111）方向的择优取向明显增强;退火后薄膜的光学透过率降低,截止边红移,光学禁带宽度减小;薄膜的电阻率在退火后下降了两个数量级。     

MOx颗粒活性炭镀层粒子电极对苯酚的电催化降解特性

为研究半导体金属氧化物颗粒活性炭镀层粒子电极苯酚电催化性能,采用溶胶-凝胶、氧化还原与热分解方法,将TiO₂、MnO₂与SnO₂-Sb和SnO₂-Sb-Mn纳米金属氧化物镀层于AC(颗粒活性炭)表面,制备了催化型粒子电极,使用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及循环伏安曲线(CV)对其物相组成、微观形貌及电催化活性进行表征与分析. 结果表明,这4类金属氧化物可以不同赋存状态存在于AC表面,粒子电极表面活性组分晶格尺寸分别为10.64、11.34、14.68及13.50 nm;催化型粒子电极电催化活性明显高于未负载AC,各粒子电极电催化活性顺序为SnO₂-Sb-Mn/AC>TiO₂/AC>SnO₂-Sb/AC>MnO₂/AC. 半导体金属氧化物镀层可提高填充床电极反应器苯酚废水的催化降解性能,废水苯酚及COD_Cr去除率显著提升,TiO₂/AC、MnO₂/AC、SnO₂-Sb/AC及SnO₂-Sb-Mn/AC粒子电极在电流密度为8.0 mA/cm2的条件下连续电解2.72 h,出水苯酚及COD_Cr去除率分别为87.1%、92.8%、90.4%、100.0%和92.5%、89.3%、88.7%、97.2%,高于AC粒子电极的84.2%和79.1%,并且可消除苯酚电催化反应中醌类物质积累.      

纳米半导体材料促进厌氧产甲烷过程的研究进展

厌氧产甲烷既能保持碳通量又能有效转化能源,但其过程效率较低和底物利用率低制约了其发展.将纳米半导体材料介入到厌氧消化体系中,能加快产甲烷速率,提高甲烷产量.本文综述了纳米半导体材料介入厌氧产甲烷过程机理的研究进展,概括了不同纳米半导体材料对厌氧产甲烷效率及其过程的影响情况,基于优化微生物群落、促进直接种间电子传递(DI...     

钛酸四丁酯水解制备TiO2半导体光催化剂研究

研究了钛酸四丁酯水解制备TiO2粉末的两大影响因素R值（R是水和钛酸四丁酯的摩尔比）和烧结温度。通过光催化氧化五氯苯酚钠实验，结合对催化剂晶型结构、比表面积的表征分析，综合评价所制备的催化剂。实验结果表明，当R＝100、烧结温度为650℃、烧结时间为1h，钛酸四丁酯水解所制备的T iO2半导体光催化剂催化活性和使用寿命均比较理想。从晶型结构分析，当催化剂中锐钛矿和金红石胺一定比例共存时，其催化活性较单－金红石或锐钛矿高，实难认为锐钛矿与金红石的最佳比约为2：1。     

Abatement of waste gases and water during the processes of semiconductor fabrication

The purpose of this article is to examine the methods and equipment for abating waste gases and water produced during the manufacture of semiconductor materials and devices. Three separating methods and equipment are used to control three different groups of electronic wastes. The first group includes arsine and phosphine emitted during the processes of semiconductor materials manufacture. The abatement procedure for this group of pollutants consists of adding iodates, cupric and manganese salts to a multiple shower tower ( MST ) structure. The second group includes pollutants containing arsenic, phosphorus, HF, HCI, NO2, and SO3 emitted during the manufacture of semiconductor materials and devices. The abatement procedure involves mixing oxidants and bases in an oval column with a separator in the middle. The third group consists of the ions of As, P and heavy metals contained in the waste water. The abatement procedure includes adding CaCO3 and ferric salts in a flocculation-sedimentation compact device equipment. Test results showed that all waste gases and water after the abatement orocedures oresented in this article passed the discharge standards set by the State Environmental Protection Administration of China.     

环境光化学反应装置（EPRE）的研究进展

本文从环境光化学学科的演进过程，概括性地论述了环境光化学反应装置消除环境水、气和植物中有毒有害物质的反应机理，建立起环境光化学反应装置的分类概念，描述了目前环境光化学反应装置的研究现状和工业化应用尚存在的的问题，展望了该领域光明的发展前景。     

半导体氧水化物超细粉末对Cr（Ⅵ）的光催化还原作用研究

对不同反应条件下ＺｎＯ／ＴｉＯ２超细粉末艰水溶液中六价铬的还原作用影响进行了研究与对比，结果表明，半导体氧化物ＺｎＯ／ＴｉＯ２对水溶液中六价铬有明显的光催化还原作用，ＺｎＯ比ＴｉＯ２的效果更显著，经９０ｍｉｎ处理后，Ｃｒ（ＶＩ）含量从初始的１００ｍｇ／Ｌ降为０．４７ｍｇ／Ｌ以下；可降解有机物的存在能促进反应的进行，提高六价铬的转化率，随着ｐＨ值的升高，光催化效果减弱，本文还对反应机制和反应速度与反