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《中国个体防护装备》2023,(5):8-11
本文介绍了新一代热敏感半导体智能发热技术、本质安全防爆技术及新一代可穿戴智能取暖系列装备的性能指标与技术参数。 相似文献
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采用控制MLSC为2000mg/L的静态试验,研究GaAs、Ga~(3+)、In~(3+)、As(V)对活性污泥脱氢酶、脲酶、蛋白酶活性的影响.结果表明,抑制10%脱氢酶、脲酶活性的GaAs浓度分别为80.3mg/gMLSS和29.0mg/g MLSS;抑制10%脱氢酶、脲酶、蛋白酶活性时,Ga~(3+)浓度分别为228.5mg/gMLSS、56.0mg/g MLSS、204mg/g MLSS;In~(3+)浓度则分别为25.4mg/g MLSS、89.0mg/g MLSS、132.4mg/g MLSS;As(V)浓度分别为552.6mg/g MLSS、464.6mg/g MLSS、193.7mg/g MLSS. 相似文献
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纳米TiO2光催化剂负载技术研究 总被引:58,自引:1,他引:58
纳米TiO2光催化剂在废水处理、空气净化等环保领域具有诱人的应用前景,将其负载于一定的载体上,并设计出高效的光反应器是其实用化的关键之一。本文对纳米TiO2光催化剂负载所用载体、固定方法及其效果、相关光催化化学反应器作了综合评述。 相似文献
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87.
国家半导体行业VOC排放标准制订研究 总被引:1,自引:0,他引:1
随着近年来我国半导体产业的持续繁荣发展,中国已成为全球半导体制造增长最为迅速的市场。为有效控制监管半导体生产过程中大量使用的各种有机溶剂所产生的废气中可挥发性有机物(VOC)的排放,加强行业污染控制,规范行业环境保护管理工作,对制订半导体行业VOC排放标准进行了研究。概述了半导体行业VOC排放的特点。分析了该行业对VOC排放的治理技术。阐述了美国和中国台湾地区有关半导体行业VOC废气的排放标准。从国内半导体企业VOC治理现状、现有监测技术、VOC排放管理方式等方面探讨了我国半导体行业VOC废气排放标准的制定思路。 相似文献
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2011年3月11日,在日本东北部海域爆发了一场其有记录以来的最大规模地震。大地震虽然远离日本的三大经济圈——名古屋、东京和大阪,即使最近的东京距离震中也有400公里左右,但是,它却几乎重创了整个日本产业,从半导体电子产业到汽车、机械、家电以至钢铁产业。而且,大地震还对世界经济产生极大影响,以电子产业为主的全球产业链遭受巨大冲击。 相似文献
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半导体行业是我国大力发展的高精尖产业,废水产生量大、再生处理难度高.半导体行业废水再生处理过程中,反渗透(reverse osmosis, RO)是重要的污染物去除单元,但面临的膜污堵问题严重影响了其效率与经济性.本文梳理了半导体行业废水的种类与典型污染物,总结了半导体行业废水导致反渗透膜污堵的主要机制及控制手段,提出了针对半导体行业废水特点的膜污堵控制策略.半导体生产的不同工序会产生多种废水,包括含氟废水、含磷废水、含氨废水、重金属废水、有机废水与酸碱废水等.废水中污染物种类多且可生化性普遍较差.通常,不同种类废水分类经分质收集后,进行相应的预处理,之后部分合流处理并进入RO系统.半导体行业废水中的金属离子或氟离子易在反渗透膜面形成无机结垢,表面活性剂易形成有机污堵.反渗透膜污堵可通过预处理、膜清洗与运行条件调控等手段进行控制,如超滤、EDTA清洗剂与pH调节等,但大部分现有手段对半导体行业废水造成的污堵控制能力有限.建议未来开发针对关键污染物的预处理技术与定制化的膜清洗方案;并结合半导体生产工序,提出针对污染物关键相互作用关系的废水收集与再生处理整体策略. 相似文献