二氧化钛纳米材料的合成及其在环保领域的应用研究进展

综述了近年来纳米TiO2光催化剂在制备方法、表面改性、光催化氧化机理及应用方面的研究进展，提出了半导体催化剂的研究发展的方向。     

Abatement of waste gases and water during the processes of semiconductor fabrication

The purpose of this article is to examine the methods and equipment for abating waste gases and water produced during the manufacture of semiconductor materials and devices. Three separating methods and equipment are used to control three different groups of electronic wastes. The first group includes arsine and phosphine emitted during the processes of semiconductor materials manufacture. The abatement procedure for this group of pollutants consists of adding iodates, cupric and manganese salts to a multiple shower tower ( MST ) structure. The second group includes pollutants containing arsenic, phosphorus, HF, HCI, NO2, and SO3 emitted during the manufacture of semiconductor materials and devices. The abatement procedure involves mixing oxidants and bases in an oval column with a separator in the middle. The third group consists of the ions of As, P and heavy metals contained in the waste water. The abatement procedure includes adding CaCO3 and ferric salts in a flocculation-sedimentation compact device equipment. Test results showed that all waste gases and water after the abatement orocedures oresented in this article passed the discharge standards set by the State Environmental Protection Administration of China.     

半导体材料生产排放污染物对活性污泥酶活性的影响

采用控制MLSC为2000mg/L的静态试验,研究GaAs、Ga~(3+)、In~(3+)、As(V)对活性污泥脱氢酶、脲酶、蛋白酶活性的影响.结果表明,抑制10％脱氢酶、脲酶活性的GaAs浓度分别为80.3mg/gMLSS和29.0mg/g MLSS;抑制10％脱氢酶、脲酶、蛋白酶活性时,Ga~(3+)浓度分别为228.5mg/gMLSS、56.0mg/g MLSS、204mg/g MLSS;In~(3+)浓度则分别为25.4mg/g MLSS、89.0mg/g MLSS、132.4mg/g MLSS;As(V)浓度分别为552.6mg/g MLSS、464.6mg/g MLSS、193.7mg/g MLSS.     

半导体微电热膜加热器

由大连洁能环境发展有限公司开发的半导体微电热膜加热器适用于公寓、别墅、宾馆、机关、工厂、企事业单位等。主要技术内容一、基本原理半导体微电热膜即DZR元件的电热转换机理是微球消耗电能转变为微球动能,微球动能表现为DZR材料的温升(热能),温升高低取决于微球的平均     

北方微电子 视员工为最宝贵资源

<正>坐落于北京市经济技术开发区文昌大道8号的北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司(以下简称北方微电子),作为国内领先的高端半导体装备制造企业,所开发的刻蚀设备、化学气相沉积设备、物理气相沉积设备等核心产品已广泛应用于集成电路、半导体照明、微机电系统、功率半导体、     

索尼公司与英赛尔公司建立视频安防行业合作伙伴关系

日前,索尼公司宣布与美国半导体制造商英赛尔公司(Intersil)建立合作伙伴关系,在全球范围内开发行业内首款能够通过一根同轴电缆,同时进行模拟标清和数字高清图像传输的网络摄像机。索尼计划在2011年后半财年中,将这款新型的网络摄像机——混     

臭氧发生系统中半导体制冷干燥装置的研制

本文介绍了未经过干燥处理的原料气进入电晕放电臭氧发生系统后的危害机理 ,根据半导体的制冷干燥机理 ,开发研制了实验室用半导体制冷干燥装置 ,实验证明该装置的研制是成功的。     

金属半导体纳米粒子对水培水稻幼苗的毒性及吸收转运规律

金属半导体纳米粒子由于其独特的理化性质被广泛应用于工业生产和科学研究,而遗留在水环境中的金属半导体纳米粒子对植物的危害程度和累积水平还有待研究和完善.本文以水稻为实验对象,通过水培试验研究了氧化铜纳米粒子(CuONPs)、氧化锌纳米粒子(ZnONPs)和硫化锌纳米粒子(ZnSNPs)在不同浓度(10、50和100 mg·L~(-1))下的植物毒性及其在水稻体内的吸收转运行为.纳米粒子悬浮液的粒径分布和Zeta电位分析结果表明,CuONPs在水中的分散性和稳定性高于ZnONPs和ZnSNPs.ZnONPs悬浮液中溶解的金属离子量高于CuONPs和ZnSNPs悬浮液.毒性实验结果表明,较高浓度(50和100 mg·L~(-1))的ZnONPs和CuONPs不同程度地阻碍了水稻幼苗的生长,增加了根系中丙二醛(MDA)的含量,降低了根系活力和叶片中的叶绿素含量.50和100 mg·L~(-1)的ZnONPs导致根系鲜重分别降低至对照组的47.3%和44.3%,100 mg·L~(-1)ZnONPs和CuONPs使根系活力由对照组的710.4μg·g-1·h~(-1)分别降低至150.0和481.9μg·g-1·h~(-1).ZnSNPs在实验设置浓度下体现了促进水稻生长的作用.10 mg·L~(-1)的ZnSNPs使地上部分鲜重增加到对照组的109.8%,100 mg·L~(-1)时使根系活力提高到了对照组的2倍.Zn的选择性吸收和生物转运系数均高于Cu,本研究结果证明了金属半导体纳米粒子的植物毒性和累积水平与纳米粒子在水中的理化性质及植物对不同毒物的反应程度有关.     

废水中染料的TiO_2光催化氧化降解机理研究现状

系统论述了废水中TiO2光催化氧化降解染料的机理、动力学机制、染料的反应活性、研究中间降解产物的方法和结果等的研究现状,指出了目前研究中最大难点是分析手段的不足,对此提出了自己的看法,这为今后实际废水处理工艺过程中起到指导控制作用。     

环境光化学反应装置（EPRE）的研究进展

本文从环境光化学学科的演进过程，概括性地论述了环境光化学反应装置消除环境水、气和植物中有毒有害物质的反应机理，建立起环境光化学反应装置的分类概念，描述了目前环境光化学反应装置的研究现状和工业化应用尚存在的的问题，展望了该领域光明的发展前景。