首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   987篇
  免费   121篇
  国内免费   276篇
安全科学   82篇
废物处理   43篇
环保管理   115篇
综合类   634篇
基础理论   345篇
污染及防治   113篇
评价与监测   20篇
社会与环境   16篇
灾害及防治   16篇
  2024年   15篇
  2023年   44篇
  2022年   56篇
  2021年   62篇
  2020年   46篇
  2019年   60篇
  2018年   28篇
  2017年   31篇
  2016年   46篇
  2015年   62篇
  2014年   82篇
  2013年   70篇
  2012年   66篇
  2011年   94篇
  2010年   65篇
  2009年   73篇
  2008年   83篇
  2007年   70篇
  2006年   44篇
  2005年   37篇
  2004年   30篇
  2003年   34篇
  2002年   26篇
  2001年   26篇
  2000年   16篇
  1999年   18篇
  1998年   22篇
  1997年   10篇
  1996年   10篇
  1995年   8篇
  1994年   20篇
  1993年   6篇
  1992年   5篇
  1991年   3篇
  1990年   3篇
  1989年   13篇
排序方式: 共有1384条查询结果,搜索用时 571 毫秒
71.
通过水培实验,研究钙对铬胁迫下李氏禾幼苗生理生化、草酸分泌及铬吸收量的影响,考察钙对李氏禾体内草酸合成的调控,进而促进李氏禾的铬耐性富集能力的作用。结果显示,不同浓度Cr3+胁迫下缺钙处理,李氏禾生长受抑制及质膜过氧化作用加剧,体内总草酸含量为对照处理的113%~169%,且主要表现为水溶性草酸含量显著高于对照,水溶性草酸含量为对照处理的135%~197%;高钙处理,李氏禾细胞膜透性、丙二醛(MDA)含量低于对照,李氏禾叶部总草酸含量为对照处理的125%~155%,且主要表现为不溶性草酸含量显著高于对照,其含量为对照处理的181%~270%。低浓度(0.2、0.4 mmol/L)铬胁迫下,高钙处理总铬含量分别为对照处理的175%和215%,高浓度(0.8、1.0 mmol/L)铬胁迫下,总铬含量与对照处理无显著差异(P>0.05)。可见,添加Ca2+能在一定Cr3+浓度胁迫下,有效缓解铬对李氏禾的毒害,且能通过提高植物体内不溶性草酸含量达到促进植物富集和耐受铬的能力。  相似文献   
72.
电吸附技术作为高效、环境友好型的除盐、除氨氮技术,可应用与水的深度处理领域内。为了使污水回用达到工业用水的水质标准,对电吸附去除水中盐类、氨氮、COD的效果进行分析,结果表明,电吸附设备处理不同氨氮浓度的废水,对中低浓度的氨氮去除效果稳定,当进水氨氮浓度低于20 mg/L时,处理后出水氨氮浓度低于5 mg/L,COD浓度小于25 mg/L,达到回用标准;随着进水盐浓度的增大电吸附处理效果逐渐变差,在电导率低于2 500 μS/cm时除盐率在75%左右,氨氮去除率达到70%左右,COD去除率达到60%左右。经电吸附处理后的低氨氮浓度废水,TDS、氨氮浓度均可达到工业回用水标准。  相似文献   
73.
针对电容吸附除盐法的缺点,通过对电极进行绝缘处理,开发了一种新型高电压电容吸附除盐技术。实验结果表明:增大外加电压,有利于除盐效率的提高;外加电压为60V时,NaCl去除率可达90%以上;增大废水流速对吸附效果不利;反应温度对处理效果的影响不大;在NaCl质量浓度为80mg/L、外加电压为60V、反应温度为25℃、废水流速为36m/s、反应时间为30min的条件下,经一级处理和二级处理后出水的NaCl质量浓度分别为39mg/L和16mg/L,NaCl去除率分别为51.3%和80.0%。  相似文献   
74.
对普光气田油菜的二氧化硫熏气实验   总被引:1,自引:0,他引:1  
为探讨普光气田废气对周围农作物的影响和生物监测方法,选择气田周边油菜作为受试样本,对其进行二氧化硫现场熏气实验。结果表明,油菜在受到1.43 mg/m3浓度、3小时二氧化硫熏气后,植株耐受,不产生明显受害症状;叶片含硫量、MDA含量、可溶性蛋白含量等指标的测定结果与二氧化硫熏气浓度、熏气时间存在显著的相关关系。  相似文献   
75.
干旱胁迫下壳聚糖对花生幼苗生理特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究壳聚糖对花生幼苗抗旱言的影响,以花生品种“花育23号”为材料,在干旱胁迫下,用不同浓度的壳聚糖溶雍处理花生幼苗,连续处理5d后测定叶绿素、可溶性蛋白、MDA和脯氨酸的含量变化。结果表明,花生幼苗在干旱条件下喷施壳聚糖与蒸馏水相比,在干旱第10天叶绿素含量提高了42.2%,MDA含量降低了36.2%;在干旱第6天,可溶性蛋白含量提高了129.0%;在干旱第8天,脯氨酸含量提高了257.0%。喷施壳聚糖溶液的最适宜浓度为0.10g/L,喷施该浓度壳聚糖可促进植物生长,增强抗旱性。  相似文献   
76.
湿地植物在处理高负荷有机废水时会受到不同程度的氧化胁迫。本研究基于对浮萍的有机污染胁迫模拟系统,通过对浮萍脂质过氧化和抗氧化防御系统的监测与分析,研究了浮萍对有机污染胁迫的耐受能力及胁迫去除后浮萍的恢复规律。结果表明,浮萍对有机污染胁迫具有较高的耐受性,在胁迫去除后,具有一定的恢复能力。在COD小于400mg/L时,浮萍并未受到氧化胁迫;当COD达到800 mg/L时,浮萍体内ROS含量上升,细胞膜脂过氧化加剧,但抗氧化酶活性升高,抗氧化物质含量增加,浮萍可保持生长,胁迫去除后,抗氧化防御系统可恢复到对照水平;当COD过高(≥1 000mg/L),ROS急剧上升,抗氧化防御系统遭受破坏,造成不可逆伤害,胁迫去除后不能恢复正常生长。  相似文献   
77.
镉胁迫对大豆生长及籽粒中营养元素含量的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了探明Cd胁迫下大豆生长发育及籽粒中Cd的积累和污染状况,采用土壤盆栽实验方法,研究了在两种土壤(红壤和河潮土)中添加不同质量比的Cd对大豆籽粒中N、P、K和Zn含量的影响,并对籽粒中Cd的累积量进行了分析.结果表明,两种土壤中添加低质量比Cd(0.25 mg/kg)均可促进大豆的生长,高质量比Cd则表现为抑制作用.不同质量比Cd的处理均降低大豆籽粒中N的质量分数.其下降幅度随Cd质量比的升高而增加;低质量比(0.25~0.50 mg/kg)Cd胁迫下,大豆籽粒中Cd-P表现为协同作用,高质量比Cd时则表现为拮抗作用;Cd-K在低质量比Cd胁迫下表现为拮抗作用;Cd-Zn在籽粒中表现为协同作用,叶片中则表现为拮抗作用.将土壤与大豆籽粒中Cd的质量比进行回归分析,表明在红壤中种植大豆,籽粒未受Cd污染(<0.20 mg/kg)的土壤的Cd临界质量比为0.157 mg/kg,河潮土则为0.769 mg/kg.  相似文献   
78.
橡胶促进剂M盐废水生物处理技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为探讨微生物技术在橡胶促进剂M盐废水处理中的应用,利用高效优势蘸强化A2O工艺对橡胶促进剂M盐废水进行处理,整个系统运行过程分为污泥的培养与驯化阶段及稳定运行阶段。在稳定运行阶段COD0平均去除率达90.71%,氨氮平均去除率达78.31%。以Mn^2+、Fe^2+、Mg^2+、Ni^2+为4个影响因子,通过正交实验分析无机离子对橡胶促进剂M盐废水中有机物降解的促进作用。由实验数据的摄差大小可知,各无机离子对优势复合菌降解橡胶有机废水的影响从大到小依次为:Mn^2+、Fe^2+、Ni^2+和Mg^2+。4种离子最佳质量浓度组合为:0.500mg/L的Mn^2+、1.00mg/L的Fe^2+、35.0mg/L的Mg^2+和0.025mg/L的Ni^2+。  相似文献   
79.
采用沙培法,研究不同浓度的NaCl胁迫对三种油莎豆品系块茎萌发和幼苗生长的影响,以探讨油莎豆的抗盐性。结果表明:油莎豆块茎发芽率随着NaCl胁迫浓度升高呈逐渐降低趋势,500mmol/L时发芽率为0;油莎豆幼苗叶片中叶绿素含量随着NaCl胁迫浓度的升高而降低,而蛋白质和脯氨酸含量随着NaCl胁迫浓度的增加而升高,说明NaCl胁迫对油莎豆块茎萌发和幼苗生长具有严重的抑制作用。该研究结果为油莎豆在盐碱地的种植、栽培提供了重要的参考资料。  相似文献   
80.
盐生植物种子萌发的特点及其生理基础   总被引:22,自引:0,他引:22  
用NaCl和等渗PEG处理8种盐生植物和2种非盐生植物种子。结果表明:NaCl和等渗PEG对所有种子的萌发率都产生抑制作用,而且PEG(对盐生植物)的抑制程度大于等渗NaCl,NaCl对盐生植物萌发的抑制水平随处理时间延长而降低,但对非盐生植物种子萌发率的抑制程度增大到8d以后即不再增大。另外,在0.6MPaNaCl下,随处理时间延长,盐地碱蓬和琐琐种子的α-淀粉酶活性不断提高,SOD活性基本不变,但小麦和大麦种子的α-淀粉酶活性在处理8d后接近最大值,SOD活性显著下降,这些结果说明,影响盐生植物种子萌发率的因素与渗透胁迫,种子内部一些关键酶的活性及萌发过程中大量吸收和积累盐离子等都有关系。图6参19  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号