首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   589篇
  免费   83篇
  国内免费   254篇
安全科学   88篇
废物处理   48篇
环保管理   35篇
综合类   520篇
基础理论   117篇
污染及防治   95篇
评价与监测   16篇
社会与环境   1篇
灾害及防治   6篇
  2024年   6篇
  2023年   22篇
  2022年   28篇
  2021年   37篇
  2020年   32篇
  2019年   33篇
  2018年   24篇
  2017年   22篇
  2016年   32篇
  2015年   41篇
  2014年   58篇
  2013年   38篇
  2012年   40篇
  2011年   31篇
  2010年   42篇
  2009年   31篇
  2008年   55篇
  2007年   49篇
  2006年   35篇
  2005年   32篇
  2004年   48篇
  2003年   26篇
  2002年   29篇
  2001年   27篇
  2000年   20篇
  1999年   5篇
  1998年   14篇
  1997年   16篇
  1996年   8篇
  1995年   13篇
  1994年   8篇
  1993年   8篇
  1992年   6篇
  1991年   1篇
  1990年   2篇
  1989年   5篇
  1988年   2篇
排序方式: 共有926条查询结果,搜索用时 31 毫秒
101.
高级氧化技术(AOPs)广泛应用于不同的废水处理,并目前此类技术多以羟基自由基(OH·)的产生为主.近年来,基于硫酸根自由基(SO 4-·)的AOPs因其对有机污染物的高反应活性和对复杂环境基质的高选择性而备受关注.但是,在对各种活化方式的系统比较方面还存在一些不足,对降解途径和不同阴离子对体系的影响也缺乏研究.本文通过两种染料的降解对3种活化过硫酸盐体系进行了系统性的比较,并结合自由基捕获实验(甲醇,叔丁醇)和产物分析,研究了体系降解机制及路径.研究了4种阴离子(HCO3-、N O3-、Cl-、Br-)对3种不同活化过硫酸盐体系降解染料的影响.结果表明,SO 4-·与OH·在3种活化体系中对染料降解均有贡献.在热活化体系(heat-Na2S2O8)中,对染料降解起到主导作用的活性物种为S O4-·;在光...  相似文献   
102.
目的 研究AlN覆铜板在盐雾环境下的性能退化及其微观机制。方法 采用交替喷雾和干燥方法对AlN覆铜板进行15周期的中性盐雾试验,并在第1、3、6、10、15周期时检测其相关性能。主要通过击穿电压测试、介电性能测试和导热性能测试等方法,分别评价AlN覆铜板的电绝缘特性、介电损耗及导热系数,并通过扫描电镜和能谱测试对试样表面/截面微观形貌和元素变化进行分析。结果 AlN覆铜板导热系数和击穿电压随盐雾试验周期的增长而逐渐退化,最大退化率分别为13.2%和73.8%。介电损耗明显增加,盐雾试验15周期后,在低频区域的最大值约为1.3。Cu电极发生明显腐蚀,生成大量绿色腐蚀产物,导致表面Ni-P镀层脱落失效。H2O分子扩散进入AlN陶瓷内部,在局部区域造成陶瓷水解,逐渐形成微裂纹。结论 盐雾试验过程中,Ni-P镀层逐渐开裂剥落,Cu电极表面最终形成大面积疏松多孔的腐蚀产物层。H2O、Cl、Na+等逐渐溶解扩散进入AlN陶瓷,导致陶瓷中空位、裂纹、杂质缺陷浓度增加,二者都会增强导热过程中的声子-缺陷散...  相似文献   
103.
为指导操作人员正确地处理化工生产过程中的问题,防范人为误操作导致的事故发生,开发了以化工生产的危险与可操作性分析结果和典型事故原因分析结果为知识库的事故预防信息系统.系统实时在线监测化工生产过程中的关键变量,通过判定变量间的影响关系,实现对化工生产过程潜在危险的辨识、预警并给予实时操作指导,以确保生产安全,提高装置的生产效率.最后,以丙烯聚合工艺为例,在多功能过程试验控制平台上进行了验证,探讨了事故预防信息系统的应用方法.  相似文献   
104.
探索了试验过程中SiO23-离子团的加入对脉冲自动倒极电解法合成聚合氯化硅酸铝中Alb含量的影响.通过试验确定了最佳摩尔比.在脉冲倒极周期和电解槽电流一定的情况下,当总铝AlT与SiO23-的摩尔比为101~201时;在此合成条件下制备液中Alb含量超过80%;处理模拟水样最佳投药量为0.5~5 mg Al2O3/L.在制备过程中,极化现象得到了极好的控制,电解槽电压和电流十分稳定.  相似文献   
105.
106.
该文以不同碳源反硝化生物滤池(DNBF)出水可溶性微生物产物(SMP)为对象,研究不同温度和pH条件下SMP对Cu~(2+)的螯合能力。结果表明,SMP螯合Cu~(2+)的过程符合Langmuir、Freundlich和Temkin吸附等温曲线;在温度为35℃和pH为5时,以乙酸钠为碳源的DNBF出水中SMP螯合Cu~(2+)的能力最强,最大吸附量为0.574 g/g。采用冷场发射式扫描电镜、傅里叶红外光谱仪和三维荧光光谱仪等表征SMP,显示SMP与Cu~(2+)作用前后的形貌特征发生了明显变化。SMP与Cu~(2+)发生螯合作用主要依赖于蛋白质、多糖和腐殖质中富含的-COOH、-NH2和-OH等官能团。  相似文献   
107.
内分泌干扰物双酚A (BPA)的广泛分布对水环境和人类健康造成了潜在的威胁. 为探究超薄硫掺杂的石墨相氮化碳纳米片(US-CN)对BPA的光催化降解性能及其降解机理,使用US-CN对BPA进行了光催化降解,使用电子顺磁共振(EPR)检测了光降解过程中产生的反应性氧自由基(ROS),通过密度泛函理论(DFT)结合自然布局分析(NPA)计算了BPA的原子电荷值,使用LC-MS检测了BPA光催化降解过程的中间产物. 结果表明:①US-CN在可见光(VL)下(简称“US-CN/VL体系”)100 min内对BPA的去除率可达66.39%,去除率的准一级反应动力学常数约为石墨相氮化碳(CN)的6倍. ②在US-CN/VL体系中添加L-组氨酸后,60 min内BPA的去除率从50.00%降至6.45%,表明单线态氧(1O2)是导致BPA降解的主要ROS. ③在US-CN/VL体系中,1O2可能由超氧自由基或溶解氧转化产生. ④基于密度泛函理论计算了BPA分子易被1O2攻击的富电子原子位点, 并检测出BPA的5种降解中间产物,推测BPA在US-CN/VL体系中可能存在去甲基化和羟基化两种降解路径. 研究显示,US-CN在可见光下能产生以1O2为主的ROS,攻击BPA的富电子原子,对BPA有良好的光催化效果.   相似文献   
108.
该文分析了亚油酸、单棕榈酸甘油酯、α-细辛脑、海藻糖、二十二碳酸甲酯和异植醇对强壮前沟藻、赤潮异弯藻、米氏凯伦藻、球形棕囊藻、东海原甲藻和中肋骨条藻生长的影响。在此基础上,通过测定藻细胞内SOD、GSH和抗超氧阴离子等活性以及丙二醛含量和藻胆蛋白相对含量和相对比例等生理生化指标,研究它们对赤潮微藻生长的抑藻活性。结果表明,海藻糖显著抑制了米氏凯伦藻和中肋骨条藻的生长,其余5种化合物对4种(或5种)赤潮微藻的生长表现出明显的抑制作用。比较此6种化合物和重铬酸钾对赤潮微藻生长的半抑制效应浓度,发现在抑制某种或某些赤潮微藻生长上,5种化合物(除二十二碳酸甲酯)表现出比重铬酸钾更为明显的优势。α-细辛脑和异植醇明显改变了藻细胞抗氧化酶SOD和/或GSH和/或抗超氧阴离子活性,破坏了抗氧化酶防御系统,进而导致膜脂质过氧化,致使MDA含量明显增加。藻胆蛋白各组分相对含量和相对比例发生明显变化,可能致使光合作用受到影响,从而干扰了赤潮微藻细胞的新陈代谢过程,最终导致藻细胞生长受到抑制。  相似文献   
109.
从壬基酚(Nonylphenol,NP)污染严重的李村河口底泥中分离纯化出可实验室培养的真菌,以高浓度NP为环境选择压力筛选出了一株目标菌株,18S rDNA确定其归属为棘孢木霉(Trichoderma asperellum)。实验室内研究了该菌株对NP的生物降解过程,LC/MS分析其代谢产物,据此提出了NP可能的生物降解路径。菌株的生长曲线表明NP能促进其生长,该菌株3 d对5 mg/L NP的降解率为71.4%,7 d的降解率达到87.2%,14 d则达到了92.2%。LC/MS分析确定了NP四种代谢产物,分别是2-甲基-1-苯基丁醇、3,5-二羟基苯甲酸、苯二酚和苯甲醚(或苄醇)。提出了两种NP可能的生物降解路径,Ⅰ是最终转化成苯二酚,Ⅱ是最终转化成苯甲醚或苄醇。  相似文献   
110.
在流化床中,以含Cu2+废水为处理对象,考察了碳酸盐体系中pH的改变对Cu2+诱导结晶过程的影响. 结果表明:当进水ρ(Cu2+)为200 mg/L、沉淀剂pH为10.2时,经回流系统拦截,微晶产率可降低0.5%~1.0%,Cu2+的去除率可达99.0%以上. 经XRD(X射线衍射)分析表明,结晶产物以碱式碳酸铜为主,晶型呈短杆状,尺寸较为均一;当沉淀剂pH升至12.2时,Cu2+的去除率降至95.0%,系统出水结晶产物晶型特征不明显,尺寸不均,XRD结果显示为氢氧化铜、碱式碳酸铜、碳酸钙等混合结晶产物,晶体衍射峰多存在宽化现象,表明高pH下结晶产物晶化程度较低.   相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号