紫外光芬顿-膜分离耦合体系降解金霉素

以金霉素为降解对象，采用沉淀法制备α-FeOOH光催化剂，进一步将其用共价结合法负载在陶瓷膜上，用SEM、XRD、EDS、UV-Vis和FTIR对α-FeOOH和光催化陶瓷膜进行表征.结果表明催化剂α-FeOOH呈针状或纺锤长片状，长宽分别为500~550nm、25~50nm，经α-FeOOH改性的陶瓷膜孔隙率由14.83%变为8.11%.研究光芬顿陶瓷膜耦合体系对金霉素的降解效率和动力学行为，确定了光芬顿陶瓷膜耦合体系的最优降解条件为金霉素初始浓度50mg/L，H₂O₂投加浓度10mmol/L，UV强度为3796.6μW/cm².进一步利用UV-Vis光谱分析了两种体系对金霉素的降解机理，光催化剂体系下，H₂O₂的浓度基本保持不变，而光芬顿陶瓷膜耦合体系下H₂O₂的浓度先升后降，同时后者在同一时间点对TOC和NH₄⁺-N去除率更高，表明光芬顿陶瓷膜耦合体系氧化能力更强，对金霉素的降解更为彻底.     

电极尺寸对介质阻挡放电冷等离子体去除NO的影响

设计了一套高压电源装置以及相应的同轴圆柱—简介质阻挡放电管，研究了放电管中心电极直径以及介质层管内径变化对放电冷等离子体去除NO的影响。实验结果表明，这2种电极尺寸的变化对NO去除率有显著的影响。中心电极直径的增加，有助于增强放电，但同时减小了反应空间；介质层管内径增加，延长停留时间的同时放电的强度却相应减弱了。所以中心电极的直径或介质层的内径均应有一最佳值，使得其他条件不变的情况下NO的去除效果最佳。     

无机陶瓷纳滤膜分离高钠盐废水中的锶

本实验研究表明,仅用截留分子量为1000的无机陶瓷纳滤膜分离高钠盐模拟溶液中的锶,分离效果并不理想.为提高陶瓷纳滤膜对锶的选择分离效果,选择了分子量为3000的聚丙烯酸作为陶瓷纳滤膜分离的强化剂,重点探讨了溶液pH值、聚丙烯酸浓度、温度及离子强度对模拟溶液盐分离效果和膜通量的影响,并得到了适宜的锶钠分离条件.实验结果表明,在适宜条件下,通过聚丙烯酸强化和两级分离,陶瓷纳滤膜可大大提高模拟溶液中锶离子的选择分离效果,锶/钠的分离因子高达205.     

武汉阳逻砾石层ESR地层年代学研究

武汉"阳逻砾石层"是长江中下游新生代的一个重要的岩石地层单位,其形成年代一直是地质和地理学者关注的重要问题。为了更深入地探讨这一问题,在它的两个典型的剖面中采集了8个样品进行ESR地质年代测试,测试结果表明,阳逻砾石层形成于新近纪早更新世中晚期。将本次ESR测年数据与前人的热释光的测年数据、江汉平原西缘和北缘相同岩石地层层位和相同地貌位置的砾石层的测年数据、长江中下游网纹砾石层的测年数据比较发现,它们具有较好的一致性。     

木材加工行业中脉冲式布袋除尘器的使用

通过对木材加工行业砂光打磨过程中产生粉尘的性质分析,阐述脉冲式布袋除尘器在该废气处理中主要参数的选择及最终运行效果。通过研究分析,论述孔隙率、过滤效率和过滤阻力之间的关系,在借鉴他人研究成果的基础上,说明了砂光打磨粉尘剥离率和剥离力的选择依据。     

高层建筑地基下卧软弱夹层的稳定性探讨

对于场区内不可直接采用天然地基的高层建筑,建议优先考虑浅层换填地基处理方案,保证基础下粗颗粒垫层厚度不小于3.0m为宜。本文对高层建筑地基下卧软弱夹层稳定性的验算问题进行了探讨,当对软弱下卧层作深度修正后仍不能满足基础设计要求时,可按两个粗糙平面之间的薄层挤压问题对软弱下卧层进行稳定性分析及极限荷载计算,强度安全系数k取值为3,一般可以满足设计强度要求。该研究对地基处理有着重要的理论和实践借鉴意义。     

多频管中电流法防腐层检测评级参数影响研究

多频管中电流法通过计算管道防腐层绝缘电阻来判断管道外防腐层的状态,近年来得到较为广泛的应用.但对于丘陵山地的埋地输油气气管道,其评价结果与实际状态有一定差距.通过研究发现,评价结果与实际状态不符的主要原因是:管道分布电容、管道分布电感在GDWFF处理软件中对防腐层评价结果影响较大,尤其是管道分布电感是关键参数.为此,修正了多频管中电流法评价软件给出的管道分布电感推荐值,并采用现场开挖的方式进行验证,说明评价结果更符合山地实际.     

SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响

GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。