马斯京根模型参数估计的新方法

提出了马斯京投模型参数估计的一种新方法—加速遗传算法,分析了该算法控制参数的优化特性,总结出了这些参数的简便设置技术．应用实例表明,该方法简便、直观、通用、适应性强,它可广泛应用于各种自然灾害模型的优化问题之中。     

灾害损失的定量计算

本文提出了一个衡量灾害损失的定量指标——灾级。灾级大小是将一次灾害中死亡、伤害和直接经济损失数折算成规范化指数后计算出来的。其方法简单易行,且适用性强。     

基于遥感影像的城市震害模拟

探讨了基于遥感影像图进行城市地震灾害模拟的可行性，提出了一套利用GIS栅格分析功能进行城市地震灾害模拟的方法。详细论述了一种从TM／ETM＋遥感影像图提取群体建筑物专题信息并创建群体建筑物栅格的方法，以及场地地震动峰值加速度（PGA）衰减栅格、工程场地条件栅格的创建方法。结合调查资料，对某市群体建筑物进行了基于栅格的地震破坏模拟，得到了可信的地震灾害模拟结果，说明基于栅格分析城市地震灾害具有可行性。     

炼油污水处理装置恶臭气体源强估算方法的比较

以某炼油污水处理装置为例,根据其运行现状及恶臭气体的监测结果,使用卫生防护距离反推法、源强经验估算法以及地面浓度反推法3种方法对恶臭气体源强进行估算,并利用AERMOD模式进行预测,对预测值与监测值进行方差分析。实验结果表明：在监测得到的NH₃和H₂S的平均质量浓度分别为0.113,0.006 mg/m³的条件下,卫生防护距离反推法得到的NH₃和H₂S的无组织排放源强分别为2.395,0.127 kg/h。源强经验估算法得到的NH₃和H₂S的源强分别为0.255,0.080 kg/h,地面浓度反推法得到的NH₃和H₂S的源强分别为3.120,0.250 kg/h;源强经验估算法为炼油污水处理装置气体源强估算的最优方法。     

核级管道非标支架的力学分析与优化设计

目的基于核级管道支架的力学分析,针对性地提出非标支架优化设计方案。方法核电站中管道支架为确保管道系统的安全运行发挥着至关重要的作用。针对工况复杂、要求严苛、承载恶劣的管道支架,为满足其支撑与抗震功能,通常采用非标设计。深入研究非标支架的力学计算和评定方法。通过有限元计算评定结果,发现支架设计中不满足规范要求项,提出非标支架优化设计方案。结果首先针对支架整体结构刚度和稳定性不足,采取增加斜支撑与增强约束等结构性修改措施,进而确定增强支撑钢梁强度的优化方案,解决应力超过规范许用限值问题,最后对于问题集中的管道连接区域,提出局部支撑构件重新设计方案。结论该优化方案可为核级管道非标支架设计提供借鉴和指导,以满足核电标准规范和设计要求。     

化学气相渗透法制备碳化硅界面涂层的沉积动力学研究

目的 研究沉积温度对SiC界面涂层微观形貌、结构和成分的影响,探讨SiC界面涂层的沉积动力学和沉积机理.方法 采用Factsage软件计算MTS-H2反应物体系热力学平衡后产物组成,采用化学气相渗透法(CVI)在碳化硅纤维上制备SiC界面涂层,采用SEM、TEM、XRD等分析测试技术对SiC涂层形貌、结构和成分进行分析.结果 在860～1060℃温度范围内,MTS-H2体系平衡后的主要产物有SiC、C等,并在该温度范围采用CVI工艺制备出了SiC界面涂层.结论 在860～1060℃温度范围内,提高沉积温度有利于增加SiC的产率.温度低于960℃时,制备的SiC界面涂层表面光滑;高于1060℃时,得到了表面具有团簇结构的涂层,并且随着沉积温度的升高,涂层的结晶度提高.沉积动力学计算结果表明,温度低于1060℃时,SiC的沉积过程受表面反应控制;温度高于1060℃时,沉积过程受扩散控制.采用CVI工艺制备出了单一立方相的SiC界面涂层,并且(111)晶面为SiC颗粒的优先生长晶面.     

准好氧填埋工艺中通气管径对垃圾填埋气(LFG)影响研究及空气热力学计算

针对我国土地资源有限、垃圾产生量大的特点,准好氧填埋工艺逐渐成为中小型城市治理固体废物污染的首选技术.该工艺中,进入填埋堆体的空气量对垃圾填埋气(LFG)的产生及组分有重要的影响.为了确定准好氧填埋结构中竖直导气管与渗滤液导排主管直径的合理比例,在涿州市生活垃圾处理场建立了中试装置进行模拟准好氧填埋试验,并设置了直径分...     

铁路客车空调换热器的电算法

介绍利用计算机对铁路客车空调换热器进行设计计算,建立空调换热器的数学模型,绘制流程图,根据实际经验指出了编制程序过程中应注意的问题.以CA25B型空调餐车为例,利用所编程序,对其蒸发器按不同的管排列方式分别进行了设计,指出差排比顺排更适用于空调列车.最后得出结论:电算能大大缩短设计时间,提高计算准确度,并能快速对多种方案进行比较而选取换热器的最佳结构形成,达到节能和节约材料的目的.     

海面溢油对流扩散的反向计算

针对船舶造成的油污染问题,提出了反向追踪溢油的概念。在反向计算过程中,对流扩散方程的对流项一方面具有强烈的方向性,意味着上游信息通过对流项向下游传递;另一方面由于是逆向计算,因此计算时下游信息也需要通过对流项传递到上游。此外与顺时计算不同,扩散项在反向计算时更容易积累误差,从而使计算格式趋于不稳。针对反向计算的如上特点,我们对对流项和扩散项均采取了中心差分的处理方式。通过对两个算例(1)无界区域和(2)有界区域的实例演算,我们认为该方法无论是在开放的海域还是在封闭或半封闭海域均能取得基本令人满意的结果。     

Comparison of UV and UV-LED activated sodium percarbonate for the degradation of O-desmethylvenlafaxine

As an active metabolite of venlafaxine and emerging antidepressant, O-desmethylvenlafaxine (ODVEN) was widely detected in different water bodies, which caused potential harm to human health and environmental safety. In this study, the comparative work on the ODVEN degradation by UV (254 nm) and UV-LED (275 nm) activated sodium percarbonate (SPC) systems was systematically performed. The higher removal rate of ODVEN can be achieved under UV-LED direct photolysis (14.99%) than UV direct photolysis (4.57%) due to the higher values of photolysis coefficient at the wavelength 275 nm. Significant synergistic effects were observed in the UV/SPC (80.38%) and UV-LED/SPC (53.57%) systems and the former exhibited better performance for the elimination of ODVEN. The degradation of ODVEN all followed the pseudo-first-order kinetics well in these processes, and the pseudo-first-order rate constant (k_obs) increased with increasing SPC concentration. Radicals quenching experiments demonstrated that both ·OH and CO₃·⁻ were involved in the degradation of ODVEN and the second-order rate constant of ODVEN with CO₃·⁻ (1.58 × 10⁸ (mol/L)⁻¹ sec⁻¹) was reported for the first time based on competitive kinetic method. The introduction of HA, Cl⁻, NO₃⁻ and HCO₃⁻ inhibited the ODVEN degradation to varying degrees in the both processes. According to quantum chemical calculation, radical addition at the ortho-position of the phenolic hydroxyl group was confirmed to be the main reaction pathways for the oxidation of ODVEN by ·OH. In addition, the oxidation of ODVEN may involve the demethylation, H-abstraction, OH-addition and C-N bond cleavage. Eventually, the UV-LED/SPC process was considered to be more cost-effective compared to the UV/SPC process, although the UV/SPC process possessed a higher removal rate of ODVEN.