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551.
充装各种气体的钢瓶,在瓶嘴上都有一个控制气体进出的瓶阀。在这个瓶阀上配戴上帽子,以保证瓶阀不受机械损伤,保证安全,它是气瓶的一个重要附件,人们称之为安全帽。为什么气瓶要配戴安全帽?一方面是因为钢瓶的瓶阀大都是用铜合金制成的,比较脆弱,尽管有的是用钢材来制造,但由于它的结构比瓶体细小,旋在瓶体上面使瓶颈与瓶阀接头间形成一个直角,它既是瓶体的脆弱点,又是瓶体的突出点,最易受到机械损伤或 相似文献
552.
借助改进的RNG κ-ε两方程湍流模型和简化的多相流混合模型,采用计算流体力学软件Fluent模拟某污水处理厂平流式二沉池在不同水温下的运行效果.通过对比Johnson对水库水温变化的实测数据验证了模型和模拟方法的可靠性.对平流式二沉池的模拟结果表明:不同水温条件下池内水流速度存在相似的分布,在池的下部和上部各存在一个回流区;池内水温降低会造成上部回流区域减小、出水固体颗粒质量浓度增大,从而导致二沉池的颗粒去除率降低;采取增大颗粒粒径、密度和在沉淀池出水口前加设挡板的措施均能有效降低出水固体颗粒质量浓度. 相似文献
553.
554.
成都市2020年4月15~16日和4月28~5月6日分别发生了细颗粒物(PM2.5)污染过程和臭氧(O3)污染过程,利用2020年4月13~5月10日成都市区57种挥发性有机物(VOCs)小时数据,研究两次污染过程中VOCs对PM2.5污染和O3污染的影响。通过计算VOCs的臭氧生成潜势(OFP)、二次有机气溶胶生成潜势(SOAFP),以及使用比值分析法,探讨成都市VOCs优先控制物种及来源。结果表明,污染时段VOCs浓度较清洁时段均有所升高,但烷烃占比有所下降。污染时段的OFP和SOAFP较清洁时段均有所升高,间/对二甲苯和甲苯对SOA生成和O3生成贡献均排名前列,控制这两种组分的排放是成都市控制O3和SOA前体物的有效途径。比值分析结果得出,VOCs气团受本地排放影响较大,PM2.5污染时段和清洁时段的VOCs受机动车尾气排放影响较多,O3污染时段的VOCs除受到机动车尾气排放影响以外,还受溶剂使用的影响。作... 相似文献
555.
556.
2006年6~7月对东海长江口及外海海域的调查数据显示,在所调查海域范围内32°N附近122°E~126°E之间存在NO2-N高值现象,NO2-N浓度最大值可达到2.38μmol/dm3,水深位于10 m以下。结合历史资料及不同季节调查数据分析:NO2-N高值现象春夏季存在,秋冬季消失。本文通过对NO2-N与温度、盐度、溶解氧、pH、表观耗氧量、颗粒有机碳及叶绿素之间的关系分析NO2-N高值现象的形成机制,结果表明:温度、盐度、密度跃层的存在是形成NO2-N高值现象的必要条件,亚硝化过程是NO2-N高值现象形成的主要原因。秋冬季节强风的搅拌作用使NO2-N垂直分布中跃层现象消失,从表到底NO2-N浓度相近,但秋季浓度水平仍较高;冬季则恢复到正常水平。 相似文献
557.
以PN-ANAMMOX为代表的生物自养脱氮联合工艺突破了传统生物脱氮的基本理论,无需另外投加有机碳源,受到国内外研究学者的广泛关注。而PN-ANAMMOX新型联合工艺在中温环境下处理废水的能耗高于传统生物脱氮工艺。为此,综述了常温部分亚硝化工艺与常温ANAMMOX工艺的研究进展,分析其两种工艺的实现方法。对PNANAMMOX联合工艺在常温与中温下脱氮速率的差异进行分析。在常温下ANAMMOX过程是整体联合工艺的速率限制步骤,应重点控制。在20℃时联合工艺脱氮效率虽然略低于中温,但能够满足脱氮要求,节省了加热废水的能耗,相比中温更具经济价值。 相似文献
558.
为探明易降解有机物短期冲击对全自养亚硝化颗粒污泥(PNG)中不同功能菌活性的影响,本研究采用多批次连续实验,系统考察了PNG在有机物胁迫与恢复阶段,氮素转化性能与溶解氧(DO)利用情况的演化规律.结果表明,基质C/N比越高,亚硝态氮比累积速率[q(NO-2-N)]的降幅就越大.期间,异养菌(He B)活性的增强,加快了PNG对DO的消耗速率,使得氧亲和力较差的亚硝酸盐氧化菌(NOB)活性得到了有效抑制.当重新采用无机碳源配水时,q(NO-2-N)数值明显增大,同时He B与NOB的活性均处于较低水平.因此,易降解有机物对全自养PNG系统的冲击具有一定可逆性,该过程有助于巩固氨氧化菌(AOB)的相对优势,提升亚硝化反应的稳定性. 相似文献
559.
560.
GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。 相似文献