基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展

Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。     

平面型浮栅Flash单粒子效应研究进展

Flash在商用半导体领域及航天领域均具有广泛的应用。本文针对Flash芯片的外围电路和浮栅存储阵列分别展开单粒子效应研究的讨论。结论是Flash的单粒子效应与芯片结构有关,辐照束流作用在芯片位置不同,会产生不同的错误模式。