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1.
一种用于负压LDO芯片的过温保护电路
苟超
刘一锴
保兴润
赵镱翔
《环境技术》
2023,(5):108-112
本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片,测试结果表明:LDO芯片的过温保护点在(165~170)℃,过温恢复点在(95~100)℃,与设计值基本吻合。
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