AgBr/g-C3N4复合光催化剂制备及其可见光催化性能

文章采用溶剂热法合成不同形貌和结构的g-C₃N₄半导体,超声法将AgBr原位沉淀在g-C₃N₄表面,成功制备出不同质量比AgBr/g-C₃N₄复合光催化剂。借助FE-SEM、BET、TGA、XRD、UV-Vis DRS等方法对制备样品的晶体结构、形貌、比表面积、热稳定性以及其光学性能进行了表征。结果表明：g-C₃N₄半导体呈现纳米管状结构,直径约为300 nm,管长约为800 nm;AgBr/g-C₃N₄-20%复合光催化剂比表面积可达为40.727 m²/g,孔体积0.110 cm³/g,孔半径为17.171 nm。以罗丹明B (RhB)为模拟污染物,考察光催化降解性能,结果表明AgBr/g-C₃N₄质量比为20%时,可见光催化80 min后,RhB降解率可达到97.4%。光催化机...