一种高速双极工艺的ESD设计优化

针对国内某高速双极工艺的静电保护能力瓶颈问题，我们分析了原标准库静电结构的不足，研究了三极管的击穿特性，提出一种二极管与CE结并联的新型保护结构，并对版图进行了优化，工艺流片结果表明其满足2 kV(HBM)要求。该结构近几年已成功应用于多个高速运算放大器、电压比较器、宽带检波器等项目，由此完善了工艺抗静电平台的建设。