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为精准分析环境介质在零价铁（ZVI）界面沉积过程和沉积层特性,采用喷涂方法制备ZVI负载芯片,应用耗散式石英晶体微天平（QCMD）研究了腐殖酸（HA）与钙离子（Ca（Ⅱ））在ZVI界面沉积吸附过程的差异,并探讨了Ca（Ⅱ）浓度与HA/Ca（Ⅱ）投加顺序对沉积过程的影响机理.结果表明,在反应体系中先通入HA相较先通入Ca（Ⅱ）,ZVI表面形成的沉积层质量更高、沉积层结构更稳定;HA沉积后可促进Ca（Ⅱ）沉积,然而Ca（Ⅱ）先沉积后HA沉积量较少,很大程度上与吸附层外层结构组成差异相关.此外,发现随着Ca（Ⅱ）浓度从10mg/L升高至200mg/L,Ca（Ⅱ）沉积速率加快,界面沉积量增多.QCMD耗散变化研究发现,当Ca（Ⅱ）浓度从10mg/L提高至100mg/L,沉积层耗散变化值（ΔD）逐渐下降,沉积层转变为刚性结构;Ca（Ⅱ）浓度继续加大到200mg/L,ΔD升高趋势,沉积层构象呈现疏松态.应用QCMD可实时监测ZVI钝化层形成的动态变化过程,提供了ZVI界面吸附层变化特征等关键信息. 相似文献
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为精准分析环境介质在零价铁（ZVI）界面沉积过程和沉积层特性，采用喷涂方法制备ZVI负载芯片，应用耗散式石英晶体微天平（QCMD）研究了腐殖酸（HA）与钙离子（Ca（Ⅱ））在ZVI界面沉积吸附过程的差异，并探讨了Ca（Ⅱ）浓度与HA/Ca（Ⅱ）投加顺序对沉积过程的影响机理.结果表明，在反应体系中先通入HA相较先通入Ca（Ⅱ），ZVI表面形成的沉积层质量更高、沉积层结构更稳定；HA沉积后可促进Ca（Ⅱ）沉积，然而Ca（Ⅱ）先沉积后HA沉积量较少，很大程度上与吸附层外层结构组成差异相关.此外，发现随着Ca（Ⅱ）浓度从10mg/L升高至200mg/L，Ca（Ⅱ）沉积速率加快，界面沉积量增多.QCMD耗散变化研究发现，当Ca（Ⅱ）浓度从10mg/L提高至100mg/L，沉积层耗散变化值（ΔD）逐渐下降，沉积层转变为刚性结构；Ca（Ⅱ）浓度继续加大到200mg/L，ΔD升高趋势，沉积层构象呈现疏松态.应用QCMD可实时监测ZVI钝化层形成的动态变化过程，提供了ZVI界面吸附层变化特征等关键信息. 相似文献
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