一种用于RFID标签芯片LDO稳压源的设计

基于RFID标签芯片的低功耗要求,本文设计了一种超低功耗的LDO稳压源.其特点是采用0.35μm标准的CMOS数字工艺,采用弱偏置电流,使电路中的主要功能MOS管都工作在亚阈值状态,结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好.在spectre环境下仿真表明,该LDO稳压源有较宽的输入电压范围(3～8v),较低的输入输出压差(10mV),并且电路所消耗的功率在20μw左右.     

LDO环路补偿技术研究

对LDO电路基本结构及其性能指标进行描述.在分析LDO电路稳定性问题的基础上,研究分析目前较为普遍的四种LDO环路补偿技术.