碳纳米管电极电还原降解水中头孢他啶

通过SEM、FITR、CV、Tafel等表征,以头孢他啶为目标污染物,研究了自制多壁碳纳米管电极电还原难降解有机物等的特性,并用高效液相色谱检测反应后目标污染物的质量浓度.结果表明,该电极性能稳定,可耐受一定程度的腐蚀,具有较好的性能.循环伏安结果表明,在800 mV左右获得较大的氧化峰,峰值达到-0.2 mA,头孢他啶在该电极上的降解是不可逆的.碳纳米管电极电还原降解头孢他啶的适宜工艺条件为:电极间距1 cm,电压15 V,初始质量浓度1 mg·L-1,离子强度1 g·L-1,pH=6.0.此条件下,反应60 min,头孢他啶的去除效率可达90%以上,该降解过程为二级反应.     

混凝对正渗透过程中抗生素去除特性及膜污染的影响

为探明混凝预处理对正渗透去除抗生素的影响以及混凝对后续膜处理的影响,选用PAC、FeCl_3、Al_2(SO_4)_3对正渗透原料液进行混凝预处理,考察了混凝预处理对正渗透水通量、NaCl返混通量、抗生素截留率及膜污染的影响。结果表明:混凝预处理对正渗透过程中膜污染程度的影响由原料液中HA残留量以及Zeta电位共同决定;经混凝预处理后,原料液中腐殖酸残留量越多,正渗透过程中所形成的滤饼层越厚,原料液Zeta电位绝对值越低,形成的滤饼层越密实。滤饼层的形态影响正渗透的浓差极化作用,进而影响正渗透的运行特性及抗生素的截留效果,同时决定了膜清洗的难易程度。     

SnO2?Sb/碳纳米管复合电极的制备及 催化降解低浓度头孢他啶

利用溶胶凝胶法制备了SnO_2-Sb掺杂碳纳米管复合材料,采用热压法将其固定在不锈钢网上制成平面二维电极,借助SEM、XRD对其形貌、微观结构及元素结构进行分析,通过循环伏安曲线(CV)、极化曲线(Tafel),线性伏安(LVS)对其电化学性质进行了表征.结果显示,锡锑金属均匀地负载到了碳纳米管上且具有良好的电催化活性和稳定性,金属的掺杂使得碳纳米管电极具有更高的析氧电位和更小的阻抗.使用荧光光谱法测试了羟基自由基的产生能力,通过循环5次降解实验验证了电极的稳定性.降解实验表明,SnO_2-Sb/碳纳米管电极对低浓度头孢他啶具有很高的降解效率,在2 mA·cm~(-2)的电流强度下,60 min内可以达到90%的去除率.最后,针对不同的电解质和电流强度对电催化降解效率的影响,也通过实验数据进行了分析.     

外加电场强化生物膜工艺去除水中头孢他啶

实验研究了外加电场强化生物膜工艺相比普通生物膜工艺降解水中头孢他啶的处理效果。结果表明,进水COD负荷为3 kg/(m3·d)、反应周期为8 h、进水pH=8时外加电场强化生物膜反应器(R2)各项指标去除效果达到最好。R2对头孢他啶的平均去除率为90.76%,而普通生物膜反应器(R1)仅有80.63%。R2相比R1对头孢他啶去除率更高、更稳定、抗负荷能力更强。两反应器中微生物种类以杆菌为主,R1中的微生物在头孢他啶浓度为3.5 mg/L时生长受到抑制,微生物种类发生变化,而R2中的微生物在较高头孢他啶浓度下生长稳定,处理效果良好。拟合实验数据,符合MONOD模型,两反应器中头孢他啶的比降解速率随头孢他啶浓度增加而增加,R2增速大于R1。