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| 高生长速率下高声学Q石英的生长 | |
| 引用本文： | N.C.Lias ,Ms.E.E.Grudenski ,刘国彬.高生长速率下高声学Q石英的生长[J].地球与环境,1974(10). |
| 作者姓名： | N.C.Lias Ms.E.E.Grudenski 刘国彬 |
| 摘 要： | 水热生长的合成石英中高的声损失严重地降低其可用性,特别是对于高频应用更是如此。早已知悉,声损失是与碱性生长溶液中以(OH)-形式进入晶格的间隙H~ 有关的,H~ 则是为了补偿晶格中Si~( 4)位置上存在的非正四离子(Fe~( 3)、Fe~( 2)、Cu~( 2)、Al~( 3))的。前已证明。为了抑制H~ 的侵入(uptake)和提高Q,可从含Li~ 盐的溶液中生长,因为这样使Si~( 4)位置上 |
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