MOS器件抗静电性能分析 |
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引用本文: | 王再新,常天海,汪志成,黎曦. MOS器件抗静电性能分析[J]. 安全, 2007, 28(2): 12-14 |
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作者姓名: | 王再新 常天海 汪志成 黎曦 |
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作者单位: | 华南理工大学电信学院;华南理工大学电信学院;华南理工大学电信学院;华南理工大学电信学院 |
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摘 要: | 本文针对集成电路中广泛应用的MOS器件,详细分析了其静电损伤的模式和物理过程,并对其防护措施进行简单介绍.
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关 键 词: | MOS器件 ESD损伤 物理过程 防护措施 |
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