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| MOS器件抗静电性能分析 | |
| 引用本文： | 王再新,常天海,汪志成,黎曦.MOS器件抗静电性能分析[J].安全,2007,28(2):12-14. |
| 作者姓名： | 王再新 常天海 汪志成 黎曦 |
| 作者单位： | 华南理工大学电信学院;华南理工大学电信学院;华南理工大学电信学院;华南理工大学电信学院 |
| 摘 要： | 本文针对集成电路中广泛应用的MOS器件,详细分析了其静电损伤的模式和物理过程,并对其防护措施进行简单介绍. |
| 关 键 词： | MOS器件 ESD损伤 物理过程 防护措施 |
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