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导流墙偏置位置对氧化沟性能影响的分析
引用本文:陈志澜,杨人卫. 导流墙偏置位置对氧化沟性能影响的分析[J]. 环境科学与技术, 2010, 33(10). DOI: 10.3969/j.issn.1003-6504.2010.10.036
作者姓名:陈志澜  杨人卫
作者单位:杭州万向职业技术学院,浙江杭州,310023;杭州万向职业技术学院,浙江杭州,310023
摘    要:针对偏置导流墙氧化沟复杂结构的特点,采用计算流体力学数值模型和Fluent计算方法,将导流墙偏置距沿径向从0至1m,间隔0.25m进行偏置距位置变化,对氧化沟流场进行了数值计算模拟。研究结果表明:导流墙的偏置距设置对改善隔墙背后的水流低速区和消除污泥沉积有促进作用,但当导流墙的偏置距增加到一定值时,在隔墙背后径向半宽处会形成第二个水流低速区。在比较不同导流墙偏置距的速度曲线基础上,认为导流墙的偏置距应设置在0.3m~0.4m之间较合适,从而为偏置导流墙的合理设计提供理论依据。

关 键 词:氧化沟  导流墙  数值模拟  流场分析

Effect of Eccentric Position of Guide Wall on Oxidation Ditch Performance
CHEN Zhi-lan,YANG Ren-wei. Effect of Eccentric Position of Guide Wall on Oxidation Ditch Performance[J]. Environmental Science and Technology, 2010, 33(10). DOI: 10.3969/j.issn.1003-6504.2010.10.036
Authors:CHEN Zhi-lan  YANG Ren-wei
Abstract:This paper relates to a numerical simulation for liquid flow in the oxidation ditch using CFD numerical computation program with Fluent,the software. The simulation result shows the eccentric setting when properly determined can improve hydraulic regime reducing sludge deposition,and it is found that the eccentric setting within the range from 0.3m to 0.4m is proper,which is considered to be the theoretical basis for designing guide wall of oxidation ditch.
Keywords:oxidation ditch  guide wall  numerical simulation  flow analysis
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