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重金属掺杂硅平面外延开关三极管失效分析技术研究
引用本文:曹德峰,张颖,崔帅,李志勇,胥佳灵,卢健.重金属掺杂硅平面外延开关三极管失效分析技术研究[J].环境技术,2017,35(3).
作者姓名:曹德峰  张颖  崔帅  李志勇  胥佳灵  卢健
作者单位:1. 上海微小卫星工程中心,上海 201203;中国科学院微小卫星重点实验室,上海 201203;2. 上海精密计量测试研究所,上海,201109
摘    要:对航天某型号选用3DK104D型NPN硅外延平面小功率开关三极管补充筛选试验中参数超差问题进行了分析,采用非破坏和破坏性分析相结合的技术,对硅基开关晶体管的失效机理进行了研究,最终得出参数超差属批次性质量问题,予以剔除。

关 键 词:开关三极管  掺杂工艺  航天型号工程  失效分析

Research on Failure Analysis of Switching Transistors Applied on Heavy Metal Doped Silicon Planar Epitaxial Technique
CAO De-feng,ZHANG Ying,CUI Shuai,LI Zhi-yong,XU Jia-ling,LU Jian.Research on Failure Analysis of Switching Transistors Applied on Heavy Metal Doped Silicon Planar Epitaxial Technique[J].Environmental Technology,2017,35(3).
Authors:CAO De-feng  ZHANG Ying  CUI Shuai  LI Zhi-yong  XU Jia-ling  LU Jian
Abstract:
Keywords:
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