|
|||||
|
|
| 一种用于负压LDO芯片的过温保护电路 | |
| 引用本文： | 苟超,刘一锴,保兴润,赵镱翔.一种用于负压LDO芯片的过温保护电路[J].环境技术,2023(5):108-112. |
| 作者姓名： | 苟超 刘一锴 保兴润 赵镱翔 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 基金项目： | 重庆市自然科学基金,项目编号：CSTC2021JCYJ-MSXMX1197； |
| 摘 要： | 本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片，测试结果表明：LDO芯片的过温保护点在（165～170）℃，过温恢复点在（95～100）℃，与设计值基本吻合。 |
| 关 键 词： | 负压LDO芯片 过温保护电路 双极工艺 |