一种用于负压LDO芯片的过温保护电路 |
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引用本文: | 苟超,刘一锴,保兴润,赵镱翔.一种用于负压LDO芯片的过温保护电路[J].环境技术,2023(5):108-112. |
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作者姓名: | 苟超 刘一锴 保兴润 赵镱翔 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
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基金项目: | 重庆市自然科学基金,项目编号:CSTC2021JCYJ-MSXMX1197; |
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摘 要: | 本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片,测试结果表明:LDO芯片的过温保护点在(165~170)℃,过温恢复点在(95~100)℃,与设计值基本吻合。
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关 键 词: | 负压LDO芯片 过温保护电路 双极工艺 |
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