| 非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型 |
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| 引用本文： | 李聪,庄奕琪,韩茹,张丽,包军林.非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型[J].自然资源学报,2012,61(4). |
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| 作者姓名： | 李聪 庄奕琪 韩茹 张丽 包军林 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071
2. 西北工业大学航空微电子中心,西安,710072 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金，国家自然科学基金( |
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| 摘 要： | 为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应,并具有较小的关态电流.此外,分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响,而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大.解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.
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| 关 键 词： | 非对称HALO掺杂 栅交叠轻掺杂漏 围栅MOSFET 解析模型 |
Analytical modeling of asymmetric HALO-doped surrounding-gate MOSFET with gate overlapped lightly-doped drain |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | asymmetric HALO-doping gate overlapped lightly-doped drain surrounding-gate MOSFET analytical model |
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