| 紫外光致抗蚀剂的研究现状 |
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| 引用本文： | 王文君,赵淑梅.紫外光致抗蚀剂的研究现状[J].中国环境管理干部学院学报,2005,15(4):79-81,85. |
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| 作者姓名： | 王文君 赵淑梅 |
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| 作者单位： | 1. 中国环境管理干部学院,河北,秦皇岛,066004
2. 老河口一中,湖北,襄樊,441800 |
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| 摘 要： | 193nmArF激基体激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点.本文介绍了近年来几种主要的紫外光致抗蚀剂及其研究进展,对ArF激基体激光(193nm)光致抗蚀剂的各个组分进行了归纳综述.并指出,通过改进感光高分子的结构与组成,可以获得性质优良的抗蚀剂,给分析、研究工作以助益.
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| 关 键 词： | 紫外光致抗蚀剂 光刻胶 193nm ArF 激光 激基体激光 |
| 文章编号： | 1008-813(2005)04-0079-04 |
| 修稿时间： | 2005年6月10日 |
Research Status of Ultraviolet Photoresist |
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| WANG Wen-jun,ZHAO Shu-mei.Research Status of Ultraviolet Photoresist[J].Journal of Environmental Management College of China,2005,15(4):79-81,85. |
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| Authors: | WANG Wen-jun ZHAO Shu-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UV photoresist lithography 193nm ArF Laser excimer Laser |
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