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杂志ISSN号
基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展
作者姓名:
曾庆锴
卢健
李彩
张冬冬
张勇
作者单位:
上海微小卫星工程中心
摘 要:
Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。
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