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快速断电安全技术中半导体中性点开关结构性能的研究
作者姓名:王久和  薛鹏骞  王虹桥  靳文涛
作者单位:华北科技学院电子信息系
摘    要:对我国目前半导体中性点开关的结构,工作过程,性能进行了分析;现行中性点开关所存在的问题为电路拓扑结构不合理,关断时间过长或过短,过长不满足快速断电安全技术的要求,过短又易引起过电压,使中性点开关失控.笔者提出了采用绝缘门极双极性晶体管(IGBT),构成半导体中性点开关的可行方案.同时指出,开发新型快速断电安全技术装置,将大大提高我国煤矿安全技术水平.

关 键 词:中性点开关  关断时间  失控  过电压
修稿时间:2001-12-01
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