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对于一些高健壮水平的信息化电子设备,由于产品环境裕度很大,采用常规环境模拟试验技术很难验证出产品的环境适应性水平,也无法知道产品的环境健壮裕度。基于此,提出了一种高效率的用于环境适应性验证的加速应力试验技术,将当前环境适应性试验"通过或不通过"的符合性验证现状,发展到装备环境适应性水平的定量评估层次,来验证产品的环境裕度。从用于环境适应性验证的加速应力试验的理论出发,阐述加速应力试验的依据、前提、应力种类、方案设计等几方面内容,力争为改变我国在装备研制中根据标准和规范确定产品环境试验项目、试验条件的被动状态提供一点解决思路。 相似文献
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阐述了温度试验中温度稳定的重要性。通过对测试方案、测试设备、测试过程及结果的分析,对如何应用直接测量法测试试验样品非工作状态下温度稳定进行了探索和研究。根据测试结果分析了影响试验样品温度稳定的因素,并指出了直接测量法的优越性。 相似文献
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ICMS传感器防护技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对ICM传感器安装在飞机内部结构的特征和局部环境特点,提出了应用IMR21纳米复合涂料进行防护的初始方案,并采用加速腐蚀试验方法验证了其耐久性。结果表明,采用IMR21纳米复合保护的传感器安装部位未出现明显的腐蚀失效现象,但传感器引线部位存在一定的原始制造工艺缺陷。在载荷作用下固定传感器引线的硅胶易产生裂纹,致使腐蚀介质易渗入引线焊点处引起焊点腐蚀,导致个别传感器不能正常工作。为此,提出了传感器引线部位细节防腐改进措施,其有效性通过了加速腐蚀试验验证。 相似文献
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目的通过失效物理手段得到温度加速寿命试验的失效机理突变点,节省试验样本,并为加速寿命试验的有效性提供保障。方法利用电子产品典型失效物理模型,在求解MOSFET器件激活能的基础上确定失效机理突变点,并开展失效物理分析,从微观分析的角度验证失效机理一致性判定方法的理论正确性和工程适用性。结果 MOSFET器件在温度低于240℃时,失效机理没有发生改变;温度高于240℃时,失效机理发生了改变,与前述失效机理不一致。结论基于失效物理的方法可以确定器件机理发生变化的温度应力点,所需样本量小。 相似文献