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以硅藻为载体,采用"接枝法"在其表面键连N-氨乙基-γ氨丙基三甲氧基硅烷(AAPTS),以As(V)为模板,环氧氯丙烷(ECH)为交联剂,探讨了p H、交联剂用量、交联温度、交联时间等条件对制备硅藻基As(V)离子印迹材料(IIP)的影响。并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和红外光谱(FTIR)对IIP制备前后微观形貌、物相组成和官能团的变化进行了分析,探究了IIP对As(V)的吸附行为特征。结果表明:制备IIP条件为p H=10,环氧氯丙烷(ECH)的用量为8.2 m L,交联温度70℃,交联时间4 h,此时As的去除率为96.1%。当p H为5~10时,与非印迹材料相比,IIP对目标离子具有更快的吸附速率。 相似文献
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