| 基于GaN技术的大功率T/R组件可靠性设计与分析 |
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| 引用本文： | 彭祥飞,江浩,邓林.基于GaN技术的大功率T/R组件可靠性设计与分析[J].装备环境工程,2020,17(12):115-118. |
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| 作者姓名： | 彭祥飞 江浩 邓林 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第 29 研究所,成都 610036;中国电子科技集团公司第 29 研究所,成都 610036;中国电子科技集团公司第 29 研究所,成都 610036 |
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| 基金项目： | 国防科工局技术基础科研项目(JSZL2016210B001) |
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| 摘 要： | 结合T/R组件的工作原理,对影响大功率T/R组件可靠性的关键技术进行了设计与分析。通过与现有的基于GaAs技术的T/R组件设计电路对比分析,阐述了基于Ga N技术的大功率、高可靠性T/R组件的电路设计方法。
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| 关 键 词： | T/R组件 GaN芯片 高可靠性 电路设计 热设计 |
| 收稿时间： | 2020/7/7 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/9/4 0:00:00 |
Reliable Design and Analysis of High Power T/R Module Based on GaN Technology |
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| PENG Xiang-fei,JIANG Hao,DENG Lin.Reliable Design and Analysis of High Power T/R Module Based on GaN Technology[J].Equipment Environmental Engineering,2020,17(12):115-118. |
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| Authors: | PENG Xiang-fei JIANG Hao DENG Lin |
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| Institution: | No. 29 Research Institute of CETC, Chengdu 610036, China |
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| Abstract: | Combined with the working principle of T/R module, the key technologies affecting the reliability of high-power T/R module were designed and analyzed. Compared with the existing T/R module design circuit based on GaAs technology, the circuit design method of high power and high reliability T/R module based on GaN technology was described. |
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| Keywords: | T/R module GaN MMIC high reliability circuit design thermal design |
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