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利用金相分析、电镜、岛津材料试验机等方法研究了不同净化工艺对镁合金力学性能、组织、断口形貌的影响。结果表明 ,对于AZ91镁合金 ,精炼剂的用量不宜超过 3 .5 % ,浇注温度应控制在 72 0~ 730℃。采用熔剂、吹氩和过滤的复合净化处理工艺可以有效清除镁熔体中的夹杂物和气孔 ,使镁合金的性能得到极大的提高。经复合净化处理后的AZ91的σb和δ可分别达到 2 0 6 .1MPa和 5 .2 1 %。金相观察表明 ,净化处理对金相组织无明显的影响 ,不改变AZ91镁合金的断裂机理 ,断口均成准解理断裂 相似文献
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研究了喷射共沉积方法制备的7075 Al / SiCp复合材料挤压及轧制过程中SiC颗粒的分布.通过拉伸实验、微观组织的金相及拉伸断口SEM观察分析了SiCp颗粒尺寸对材料组织和性能的影响.实验表明,SiCp在挤压过程中沿厚度方向形成分层分布,SiCp的尺寸及粒度分布对于聚集有较大的影响;轧制过程对挤压时形成的SiCp分层分布有一定的减弱作用,但改善程度和SiCp的尺寸有关;SiCp颗粒尺寸对复合材料的力学性能及断裂机制有很大的影响. 相似文献
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介绍了喷射沉积耐热铝合金管坯经挤压变形 ,变薄旋压筒体的研制过程 ;重点论述了热旋成形筒体的工艺路线。试验探讨了耐热铝合金的旋压温度为 35 0~ 45 0℃ ,道次变薄率约为2 0 % ,累计变薄率约 5 0 % ,需中间退火 ,退火温度宜取 35 0℃。热旋结果认为 ,喷射沉积耐热粉末铝合金铸坯直接热旋成形困难 ,需经挤压比大于 4的变形致密 ,有助于热旋成形。耐热粉末铝合金挤压坯加热变薄旋压 ,应采用小压下量多道次的变形过程 ,逐渐细化晶粒组织 ,才能旋出综合性能良好的筒形件。 相似文献
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在污染大气环境中NaCl对镁合金的协同作用 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了沉积NaC l的AZ91D镁合金在含有SO2和CO2的模拟污染大气环境中初期腐蚀行为。研究了在SO2和CO2协同作用下,表面沉积NaC l的AZ91D镁合金大气初期腐蚀规律。采用扫描电子显微镜(SEM)观察表面腐蚀形貌,XRD进行腐蚀产物分析。结果表明,由于NaC l的沉积加速了AZ91D镁合金的初期大气腐蚀,SO2、CO2和NaC l多种因素协同作用对AZ91D镁合金的初期大气腐蚀的影响远大于单一SO2、CO2和NaC l因素。 相似文献
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采用自主设计的喷射床电沉积装置处理模拟采矿含锌废水。通过改变喷射床电沉积处理过程的pH值、电流强度、含锌废水浓度以及鼓入氮气等实验参数,研究不同处理条件下喷射床电沉积反应器对含锌废水的处理效果。结果表明:废水Zn2+浓度为1000 mg/L时,采用粒径为1.8 mm铜微粒电极,反应过程pH值为4.5,恒电流强度为15 A,向废水中鼓入600 L/h氮气的条件下处理效果最好,电沉积反应180 min后,Zn2+去除率达到49.44%,平均电流效率为41.63%。并以实验结论为基础,通过动力学模拟分析,建立了单金属离子电沉积过程的动力学模型,验证了实验结果的可靠性和准确性。 相似文献
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热喷涂铝涂层与玻璃结合机理的研究 总被引:4,自引:2,他引:2
通过改进预处理工艺,解决了采用热喷涂工艺在玻璃上沉积金属的难题,并通过系统的试验,研究玻璃表面预处理工艺、预处理温度及喷涂工艺对涂层结合强度的影响,观察玻璃试样横断面的微观组织,探讨了热喷涂铝涂层与玻璃基材结合机理。 相似文献
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《装备环境工程》2021,(6)
目的研究沉积温度对SiC界面涂层微观形貌、结构和成分的影响,探讨SiC界面涂层的沉积动力学和沉积机理。方法采用Factsage软件计算MTS-H_2反应物体系热力学平衡后产物组成,采用化学气相渗透法(CVI)在碳化硅纤维上制备SiC界面涂层,采用SEM、TEM、XRD等分析测试技术对SiC涂层形貌、结构和成分进行分析。结果在860~1060℃温度范围内,MTS-H_2体系平衡后的主要产物有SiC、C等,并在该温度范围采用CVI工艺制备出了SiC界面涂层。结论在860~1060℃温度范围内,提高沉积温度有利于增加SiC的产率。温度低于960℃时,制备的SiC界面涂层表面光滑;高于1060℃时,得到了表面具有团簇结构的涂层,并且随着沉积温度的升高,涂层的结晶度提高。沉积动力学计算结果表明,温度低于1060℃时,SiC的沉积过程受表面反应控制;温度高于1060℃时,沉积过程受扩散控制。采用CVI工艺制备出了单一立方相的SiC界面涂层,并且(111)晶面为SiC颗粒的优先生长晶面。 相似文献
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目的 研究沉积温度对SiC界面涂层微观形貌、结构和成分的影响,探讨SiC界面涂层的沉积动力学和沉积机理.方法 采用Factsage软件计算MTS-H2反应物体系热力学平衡后产物组成,采用化学气相渗透法(CVI)在碳化硅纤维上制备SiC界面涂层,采用SEM、TEM、XRD等分析测试技术对SiC涂层形貌、结构和成分进行分析.结果 在860~1060℃温度范围内,MTS-H2体系平衡后的主要产物有SiC、C等,并在该温度范围采用CVI工艺制备出了SiC界面涂层.结论 在860~1060℃温度范围内,提高沉积温度有利于增加SiC的产率.温度低于960℃时,制备的SiC界面涂层表面光滑;高于1060℃时,得到了表面具有团簇结构的涂层,并且随着沉积温度的升高,涂层的结晶度提高.沉积动力学计算结果表明,温度低于1060℃时,SiC的沉积过程受表面反应控制;温度高于1060℃时,沉积过程受扩散控制.采用CVI工艺制备出了单一立方相的SiC界面涂层,并且(111)晶面为SiC颗粒的优先生长晶面. 相似文献
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