国产多核处理器芯片TDBI技术研究

随着集成电路的功能越来越复杂,超大规模集成电路的动态老炼越来越成为一项困难的工作。传统针对超大规模集成电路的老炼多采用静态老炼方法,这种方法不能使电路内部的功能节点动作起来,无法保证老炼效果,因此能够实现电路内部所有功能模块全动态激励的TDBI技术越来越受到人们的关注。本文以国产多核处理器芯片为测试对象,为研究多核处理器芯片的TDBI方法进行了芯片老炼测试软硬件系统开发,解决了多核处理器老炼中大功率电源供电、图形存储空间不足等关键技术。     

GJB150A在某通信装备低温试验中的应用研究

由于是剪裁标准,GJB 150A发布以来的很长一段时间内,许多使用人员还无法适应,对试验工作造成诸多困扰。为了指导研究人员摆脱菜单式标准的束缚,以GJB 150A为参考标准,根据某通信装备的寿命期剖面和寿命期环境剖面,论述了该装备低温试验的实施要点,对试验程序、试验顺序和试验条件的选择依据及结果给出了详细分析,提出了试验实施的设备与试件要求。     

基于GJB 150A-2009的高温试验方法研究

介绍了GJB 150换版后的基本信息,以图表形式给出了高温对装备的影响及比重。对GJB150A-2009中的高温试验方法及剪裁指南进行了研究,对高温试验应用要点进行了分析,并以某型号电子装备为例,建立了其寿命期剖面和寿命期环境剖面。     

电子产品可靠性增长试验综述

可靠性增长试验是产品研制阶段提高其可靠性的一种试验手段,其目的是为了充分暴露产品潜在故障,分析故障原因,进而提出改进意见并验证改进的有效性。本文针对国产服务器设计上、工艺上存在的薄弱环节,对其进行可靠性增长试验研究,重点介绍可靠性增长试验方案设计中的关键要素,阐述可靠性增长试验方法及实施步骤,并针对国产服务器可靠性增长试验给出方案设计及应用案例。