压电安全管理及其模型

为创新安全管理范式,进一步丰富安全管理理论,基于压电理论与安全管理理论,开展压电安全管理研究。首先,分析压电理论对安全管理的启示,探讨压电安全管理的内涵,并提出压电安全管理概念模型;在此基础上,结合安全管理全生命周期理论,构建与解析压电安全管理模型;最后,阐述压电安全管理的特点。结果表明：压电安全管理是一种可根据系统在一定时空内安全状态的变化而采取针对性措施并满足系统安全需求的安全管理新范式,兼备常态安全管理和非常态安全管理2种安全管理模式,同时,涵盖安全风险防控、应急响应和调整优化3种安全管理行为。     

超越3D打印的“炫”技

3D打印方兴未艾,4D打印渐行渐近。在两年前知名的美国TED环球大会上,计算机科学家斯凯拉·迪比茨首次通过视频向外界展示了魔术般的4D打印技术——一根奇特材质的小棍扔到水里后,慢慢扭曲变形成麻省理工学院的缩写字母"MIT"。斯凯拉·迪比茨称,这一新技术的灵感来自于生物的自我复制,他相信机器和建筑很快也能够自我组装、复制以及修复,因为这是自然系统的内在能力。     

压电感应传感技术——在采用纯金属材质按键面板产品领域中的应用

利用压电陶瓷片的压电转换效应,将其应用于具有触摸按键的楼宇对讲产品中,可实现触摸按键的功能.由于是通过压力的方式实现按键的触摸功能,所以产品表面的按键面板材料可以采用纯金属材质进行制作.通过压电感应按键技术在对讲产品中的应用,极大地提升了楼宇对讲行业领域产品在触摸按键技术应用的性能提升,大大改善了按键的客户使用体验效果,提高了产品在按键各方面的产品品质及可靠性与稳定性.由于可采用一体化成形金属材质的面板,因而可随用户需求随意定制其外形、大小、颜色等设计,尽可彰显产品的高端、华丽、时尚、金属质感.     

布置压电阵列元件薄壁结构的振动控制技术研究

目的形成布置压电阵列元件薄壁结构的建模方法,通过时域仿真验证控制效果。方法通过有限元软件建立了布置压电阵列元件薄壁结构的动力学模型,采用ANSYS APDL参数化语言编写程序,自动生成带有压电阵列分流电路的薄壁结构有限元模型,并开展了动力学仿真研究。结果实现了连接分流电路的周期压电结构时域仿真,验证了压电阵列分流阻尼技术在薄壁结构振动控制中的有效性。结论所形成的布置压电阵列元件薄壁结构的建模和仿真方法,可为航空薄壁结构的振动控制提供技术支持。     

含半无限长裂纹压电材料的Ⅲ型强度因子

研究了含半无限长裂纹压电材料在平面内电场和反平面荷载作用下的问题 ,得到了满足拉普拉斯方程、裂纹面边界条件的位移函数解和电势函数解及电弹场的基本解 ,并得到了应力、应变、电位移强度因子和能量释放率。研究结果表明 ,在裂尖 ,电场强度没有奇异性 ,而应变、应力、电位移具有奇异性。     

压电复合阻尼减振材料和压电复合吸声降噪材料中压电陶瓷应用形态研究

我们曾经将压电陶瓷粉体复合到传统的吸声降噪材料与阻尼减振材料中 ,制作出了性能更好的新型吸声降噪材料和新型阻尼减振材料 ;而且还发现废品压电陶瓷的粉体与正品压电陶瓷的粉体具有相同的功效[1～4 ] ,分析了它们同样发挥压电效应的原因。     

Bi2MoO6/纳米棒ZnO异质结对MB的可见光-压电协同降解性能研究

采用水热法合成了一系列不同负载率的Bi₂MoO₆/纳米棒ZnO复合光催化剂.通过XRD、FT-IR、SEM、TEM、XPS、UV-Vis、EPR和PL等分析技术对合成的样品进行表征.在光/超声波条件下,以亚甲基蓝（MB）为目标降解物评价其压电-光催化性能.结果表明：Bi₂MoO₆/ZnO纳米棒（BZ-0.6）的降解速率常数约为ZnO传统光催化的9.25倍,其性能提升的主要原因在于ZnO的压电效应与Bi₂MoO₆/ZnO界面形成的异质结的耦合,有效地促进了电子和空穴的分离和转移.此外,同实验条件下,循环利用5次后Bi₂MoO₆/ZnO复合光催化剂降解率仍保持良好的稳定性.     

基于压电传感板的建筑疏散照明技术

在当今世界,电力、能源和安全是人们日常生活的基本要求。为了应对日益增长的能源需求,最终的解决办法是实施可再生能源,然后将其用于人类的安全。可再生能源需要以它们各自正确的方式实施。研究基于压电传感器片的迈步发电装置,并演示了如何利用这些能量实现建筑物疏散照明。我们在传感器的下方和顶部分别固定了木板和可移动网螺栓,利用压电传感器系统,行人可以通过迈步向发电装置施加电能,另外,将硅凝胶粘贴在位于下部木板空洞中的所有传感器顶部。当有人踩到板上时,就会自动施加压力。在木板的顶部和底部设置了一个孔,以便随时调整在底部和顶板之间安装的可移动网螺栓。烟雾传感器用于启动灯光。使用这种设备,我们实现了建筑物疏散路径上的LED灯正常运行。结果表明,这种安全发电的设计和方法具有一定的实用价值,同时也满足了全球对能源的需求。     

GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究

GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。     

一种新型的带放大器的压杆式压电压力传感器及其在爆炸测试技术中的应用

介绍了一种新型带放大器的压杆式压电压力传感器。该传感器采用压电陶瓷作为敏感元件;为提高其响应速率,采用带声吸收杆式的结构;并充分考虑到测试专用设备的特殊构造,放置放大器及电池的需要,采用了特殊的外观及内腔结构;为提高传感器及其测试系统的响应速率,采用具有高输入阻抗及５０Ω输出阻抗的电压放大器,同时也采用ＳＹＶ－ ５０－ ７－ １较粗的射频传输电缆,减少了爆炸与冲击模拟信号的传输畸变。该传感器经过爆炸洞及爆炸罐压力测试的反复试验,证明性能的确优异