SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响

GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。     

粤西海域浮游植物种类的动态变化及多样性

根据1998～1999年4个航次粤西海域浮游植物的调查资料，分析了该海域浮游植物的种类组成、季节变化和平面分布特征，并对浮游植物的多样性水平进行了初步评价。结果显示，调查期间共鉴定浮游植物267种，其种类组成以细弱海链藻(Thalassiosira subtilis)的数量最多，占总数量的29．5％，其次为短角弯角藻(Eucampia zoodiacus)，占21．8％。不同季节浮游植物的优势种即有交叉又有演替。根据多样性阈值的评价，粤西海域绝大部分沿岸水域的浮游植物均处于多样性差或一般水平，而离岸水域基本处于多样性丰富或非常丰富水平。     

GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究

GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。